韩国政府10年投资22亿美金启动先进功率半导体计画
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韩国政府2021年4月1日发布了先进功率半导体（advanced power semiconductor）研发和
产能提升计画，用于人工智能系统、电动汽车等的功率转换、稳定、控制等，以及5G通讯
系统和可再生能源发电的逆变器（inverter）中。韩国国内市场规模约为20亿美元，然而
由于缺乏专利和技术，90%以上需求仰赖进口。
韩国政府计画到2025年提升本土竞争力到全球水准，到时韩国将至少有5种先进功率半导
体商业产品。韩国政府将专注于SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）和Ga2O3（氧化镓）三种
材料的应用技术，以克服硅材料的限制，并协助企业在材料和晶圆方面的研发工作。
尤其，随着透明的导电氧化物──氧化镓（Ga2O3）出现，还有一个不错的特性，借由掺
杂（Doping）流程可以向其添加电荷载流子，增加其导电性。氧化镓可以采用现存已建立
的商业微影机和加工技术，以离子注入的标准制程，以及在外延生长过程中沉积的杂质来
添加掺杂剂。氧化镓的另一个优点，就是在大型晶圆之结晶的氧化镓实际上非常容易制造
。
韩国政府还计画协助功率IC设计，开发高密度、高性能的先进功率半导体产品，同时与晶
圆厂一起设立6至8吋的制程，扩大相关的晶圆服务。
其实，2021年2月1日韩国政府就宣布，2021年将投资2500亿韩元（约2.2亿美元），未来
10年将投资2.5兆韩元（约22亿美元），加快功率半导体、先进传感器和AI芯片技术等系
统级芯片技术的研发。
首先，在今年(2021)将选择4家无晶圆厂公司（fabless），目标达到1000亿韩元（约8900
万美元）的销售额，并在评估后再进一步协助公司开发有潜力的产品。
功率半导体技术相关的研发方面，将集中在SiC和GaN半导体上，其特点是比现有的硅芯片
更加耐用和高效。在传感器研发、制造和建立测试平台方面，政府将投入5000亿韩元（约
4.4亿美元）进行初步可行性调查。
在AI芯片研发方面，下世代AI半导体技术研发的年度预算从831亿韩元（约7400万美元）
增加到1223亿韩元（约1亿美元）。正在进行的可行性研究完成后，将启动内存处理器
（Processor-in-Memory，PIM）芯片研发专案。