GaN和SiC半导体2021年市场迅速增长
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由于，在5G设备、智慧型行动装置、混合动力与电动汽车、电源和太阳能光电（PV）需求的刺激下，新兴的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这类型化合物功率半导体(compound power semiconductor)市场，预计在2021年将突破10亿美元。台积电(TSMC)宣布与意法半导体（STMicroelectronics）双方将合作加速氮化镓制程技术的开发，并将分离式与整合式GaN元件导入市场，抢攻电动车新商机。
从2021年化合物半导体市场将迅速增长，包括SiC（4H-SIC）和GaN（氮化镓）在内的下一代复合功率半导体市场的增长现已开始。市场研究公司Yole预测，到2024年，SiC功率半导体市场将以29％的复合年增长率增长，达到20亿美元。相关的受益人应该包括美国的Cree，意法半导体(STMicro)和Veeco，以及韩国的RFHIC。最近，GaN晶体管已被大量用于智慧手机和笔记型电脑的充电适配器。此外，现代汽车集团在其最近宣布的E-GMP中采用了Sic半导体。
晶圆生产技术对于GaN和SiC半导体的生产，至关重要。借由使用有机金属CVD（MOCVD）设备在衬底上生长GaN外延层来制造GaN半导体。SiC外延芯片是通过在多层芯片上沉积几微米厚的SiC单晶层而制成的。SiC芯片由Cree，Infineon和Rohm等许多公司生产。在韩国SK Siltron收购了杜邦（Dupont）的SiC晶圆部门后，正在对该行业进行投资。SiC碳化硅芯片现在供不应求。
Cree计划到2024年将SiC产能提高30倍，并为其GaN业务投资10亿美元。ST Micro的SiC芯片组相关销售额在2019年达到2亿美元，目标是到2025年达到10亿美元。
其实，SiC肖特基二极管已进入市场十多年了，近年来出现了SiC金属氧化物半导体场效应电晶体（SiC MOSFET）和结栅场效应电晶体（SiC JFET）。SiC功率模组也越来越多，包括混合SiC模组、包含带Si绝缘栅双极电晶体（IGBT）的SiC二极管，以及包含SiC MOSFET的全SiC模组。
相比之下，GaN功率电晶体和GaN系统IC最近才出现在市场上。GaN是一种宽带隙(WBG)材料，具有与SiC类似的性能优势，但具有更高的降低成本的潜力。这些具有价格和性能优势，因为GaN功率器件可以生长在比SiC便宜的硅或蓝宝石基底上。尽管现在可以提供GaN电晶体，但预计Power Integrations、德仪和Navitas Semiconductor等公司的GaN系统IC的销售，将以更快的速度增长。