狠甩三星！台积大突破 2奈米超进度
台积电（2330）2奈米制程研发获重大突破。供应链透露，有别于3奈米与5奈米采用鳍式
场效电晶体（FinFET）架构，台积电2奈米改采全新的多桥通道场效电晶体（MBCFET）架
构，研发进度超前，业界看好2023年下半年风险性试产良率即可达九成，助攻未来持续拿
下苹果、辉达等大厂先进制程大单，狠甩三星。
半导体制程一路微缩，面临物理极限，业界原忧心不利摩尔定律延续，也就是过往每18个
月推进一个制程时代的脚步受阻，使得台积电等半导体大厂先进制程发展受影响。
三星预计年底才投入5奈米制程，落后台积。随着台积电在2奈米新制程节点有重大突破，
宣示台积电将可延续摩尔定律发展，更确定未来朝1奈米推进可能性大增，进一步扩大与
三星的差距。台积电向来不对订单等动态置评，且迄今仍低调未对外透露2奈米制程细节
，仅表示2奈米将是全新架构。
业界人士指出，2020年台湾国际半导体展（SEMICON TAIWAN）将在本周三（23日）登场，
台积电董事长刘德音受邀进行主题演讲，市场聚焦台积电先进制程研发对人工智能（AI）
、第五代行动通讯（5G）推动影响，并关注刘德音释出的台积电先进制程研发近况。
据悉，台积电去年成立2奈米专案研发团队，寻找可行路径进行开发，考量成本、设备相
容、技术成熟及效能表现等多项条件，2奈米采以环绕闸极（GAA）制程为基础的MBCFET架
构，解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，在极紫外光（EUV）微显
影技术提升，使台积电研发多年的奈米片（Nano Sheet）堆叠关键技术更为成熟，良率提
升进度较预期顺利。
台积电总裁魏哲家日前于玉山科技协会晚宴专讲时透露，台积电制程每前进一个世代，客
户产品速度效能增加30%至40%，功耗可以降低20%至30%。
供应链认为，以台积电2奈米目前研发进度研判，2023年下半年可望进入风险性试产，
2024年正式量产。台积电先前揭示2奈米研发生产将落脚新竹宝山，规划P1到P4四个超大
型晶圆厂，占地90多公顷。
业界认为，台积电2奈米良率及效能值得期待，推出即可望获苹果、辉达、高通、超微等
大客户采用，陆续转到2奈米投片。尤其辉达收购安谋（ARM）后，朝超级电脑、超大规模
资料中心等高速运算前进，未来将更仰赖与台积电合作。
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