台积电N12e技术：采用16/12奈米FinFET技术导入物联网边缘装置
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根据台积公司部落格报导，台积电N12e技术驱动下一世代支援人工智能及5G物联网的边缘
装置。
迈入AI人工智能及5G物联网时代，目前市场上首波物联网装置获得广泛地采用，其中包括
连结式喇叭、智慧门铃、连结式安全监控摄影机、智慧手表、穿戴式装置等，这些装置拥
有创新性且突破了技术的界限，但是仍然存在些许限制，就物联网装置而言，主要的设计
考量包括尺寸外观、功耗效率、电池寿命、效能、以及连结性。
未来，下一世代的人工智能及5G物联网装置将在边缘端提供崭新层次的智慧化、功能性、
连结性、可靠性、以及更具效能，更强大、更复杂的人工智能神经网络更能够模拟人类的
大脑，深层神经网络（Deep Neural Network, DNN）与卷积神经网络（Convolutional
neural network, CNN）能够提供边缘装置能力，远胜现今的物联网装置。
台积电新开发N12e技术特点：
特别针对支援人工智能化的物联网装置及其他高效率、高效能的边缘装置。
N12e采用台积电16奈米FinFET电晶体技术并带入物联网领域。
N12e奠基于台积电的12FFC+超低漏电技术。
相较于台积电22ULL技术，N12e技术提供：
逻辑密度提升76% - 实现更小更具成本效益的设计，在相同特定面积上容纳更多电晶体以
增加运算核心与记忆容量。
在特定功耗下速度增快49% - 在任何特定功耗水平上对于物联网装置都是一大跃进。相较
于平面式技术，N12e技术具备更大的运算效能，能够支援更优异的产品功能。
在特定速度下功耗改善55% - N12e技术广泛提供各种高效能与低功耗的选择来支援多样的
产品设计。
SRAM漏电流降低超过50% - 对于延长电池寿命而言至为关键，同时能够降低热能产生与散
热。
低Vdd设计生态系统解决方案 – 降低主动功耗与漏电功耗支援电池供电产品延长电池寿
命。
总而言之，台积电16/12奈米超高效能FinFET技术，支援物联网产品，同时透过严密的参
数调整更进一步提升功耗效率及降低漏电，尤其更大幅改善关闭状态漏电特性。而事实上
，台积电16/12奈米技术家族已应用于现今的超级电脑、以及绘图处理器与网络处理器等
高效能运算装置，以及现在将N12e技术更推广应用于新世代物联网领域。