MRAM下世代明星产品 加速商业化进程
https://bit.ly/2DYfC5a
随着MRAM愈来愈火热，成立于2007年的Spin Memory先在2018年的B轮融资中获得5200万美
元，在2020年7月又获得850万美元融资的挹注，让其融资总额达到1.58亿美元。
2020年8月12日新创公司Spin Memory已开发出一种电晶体，可以大大提高MRAM和电阻性
RAM的密度，称之为Universal Selector。而且该技术还可以克服DRAM中一个名为Row
Hammer的安全漏洞。简单来说，Universal Selector允许芯片上内存得以实现比以往更
高的性能，可靠性和密度，这将推动创新以满足摩尔定律所预期的水准。
这项创新技术除了让MRAM和ReRAM产品受益之外，DRAM也获得改进的空间。Universal
Selector能让这些内存采取新的布局、更小的单元占用空间并提高密度，进而带来前所
未有的更高水准的性能、可靠性和密度。此外，Universal Selector是第一个可解决DRAM
的Row Hammer问题，同时又降低软错误率（SER）和内存流失。现今Spin Memory正在与
NASA合作研究这项技术的适用性，以开发低软错误率和无Row Hammer的DRAM解决方案。
Spin Memory的Universal Selector为垂直单元电晶体提供了一种新颖的设计方法，目前
已经提交给JEDEC工作小组，评估Row Hammer问题的解决方案。
除了解决Row Hammer问题之外，Universal Selector还通过其4F2 DRAM位元配置将DRAM阵
列密度提高了20%–35%。
对MRAM、ReRAM和PCRAM之类的新兴内存来说，Universal Selector使制造商能够创建
6F2 – 10F2的1T1R内存位元，从而使制造商能够在相同面积内嵌入五倍的内存，进
而提高内存密度，满足AI，虚拟实境，边缘运算等技术的需求。
此外，Universal Selector还能让MRAM达到与SRAM类似的性能水准。更重要的是，再结合
Spin Memory公司的其他MRAM IP和创新技术，能克服MRAM的所有局限性，为产业提供了下
一代非挥发性内存解决方案。
近年来，随着人工智能、自动驾驶、5G与边缘运算推动之下，DRAM、NAND型快闪存储器与
SRAM已经不能满足未来需求，因而MRAM（磁阻随机存取内存）逐渐成为市场焦点。因为
MRAM结合了DRAM的成本优势，SRAM的快速读写性能以及NAND快闪存储器的非挥发性，因而
吸引了台积电、三星和GlobalFoundries等几家晶圆代工厂商的注意与投入。
总之，未来随着各大晶圆厂大力支持，以及MRAM新创公司在技术上不断蜕变，MRAM的发展
脚步会加快，为新兴内存技术的商业化进程带来动力。