中芯国际2020年底将试产7奈米不用EUV
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据陆媒报导，中芯国际表示今年(2020)将试产的7奈米，将不采用EUV技术，预计明年
(2021)才能正式量产。其实，中芯国际已投资1.2亿美金向荷兰ASML半导体设备厂订购一
台EUV极紫光机，却因受制于“瓦圣纳协定”出口管制高科技设备，至今仍无法交付。中
芯预计N+2 才会启用EUV 制程。
根据中芯国际共同执行长梁孟松，已经规划了N+1、N+2制程工艺。新制程工艺N+1作为14
奈米的后继者，而且性能相比14奈米性能提高了近20%，也被称为7奈米制程的开始。而且
N+2制程工艺被称为第二代7nm。
由于，第二代FinFET技术中芯国际一直没有明确定义在7nm 或8nm，仅对外表示是N+1，推
测可能是14nm功能加强版。梁孟松分析，N+1与中芯14nm制程比较，效能增加20%、功耗减
少57%、逻辑面积减少63%、SoC 面积减少55%。若相较于台积电7nm，则中芯N+1 的效能还
追不上台积电7nm。所以，中芯N+1 制程瞄准的应用是低成本产品。
至于第一代FinFET 制程14奈米，中芯国际表示将于今年(2020)第四季正式规模量产，分
三个时程：2020 年3 月扩产到4000 片、7 月到9000 片、12 月朝15000 片迈进。主要的
应用包含高端消费电子产品、高速运算，低阶AP 和基频、AI、汽车应用等。
在第二代FinFET 制程N+1方面，2019 年第四季进入NTO（New Tape-out）阶段，目前正处
于客户产品认证期，预计2020 年第四季可以看到小量产出。
梁孟松强调，FinFET 制程的产能非常昂贵，平均每扩充1000 片需要投资1 亿至2 亿美元
，所以扩充前会全面评估客户需求、预算及毛利率，才会投资先进制程。
中芯12nm制程是14nm的微缩版本
中芯计画在14nm 和N+1 两代FinFET 制程之间，会有一个12nm，也是14nm 技术的微缩版
本，目前12nm 已有些NTO（New Tape Out，新产品流片），该制程主要是瞄准低阶AP 处
理器等。