https://news.xfastest.com/samsung/74429/samsung-3nm-gaa/
据韩国媒体报导，三星电子的领导人李在镕 (Lee Jae-yong) 今日讨论了三星将计画首发
3nm GAA 制程芯片的战略计划。
该报导称，李在镕今日参观了三星电子位于京畿道华城 (Hwaseong) 的半导体研发中心。
这也是李在镕在 2020 年的首个官方行程，期间他听取三星电子 3nm 制程技术报告，并
与半导体部门主管讨论了新一代半导体战略。
据三星电子称，李在镕讨论了三星计划采用正在研发中的最新 3nm GAA 制程技术来制造
尖端芯片的计划。GAA 被认为是当前 FinFET 技术的升级版，能确保芯片制造商进一步
缩小体积。
去年 4 月三星电子完成了采用 EUV 的 5nm FinFET 制程技术的研发。如今该公司正在
研究下一代制程技术 (即 3nm GAA)。三星电子表示，与 5nm 制程相比，3nm GAA 技术
的逻辑面积效率提高了 35% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了约 30%。
此举也呼应三星先前所说的，将全力进攻非 DRAM 与 NAND Flash 芯片的半导体市场，
在去年，三星宣布了一项折合美金高达 1118.5 亿美元的投资计画，目标是要让三星
能够成为全球最大的半导体芯片制造商。