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2019-09-03 00:23 经济日报 记者林宸谊╱综合报导
大陆紫光集团加速内存布局又有新进度。紫光昨(2)日宣布,旗下长江存储公司已开
始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D 储存型快闪存储器(NAND Flash),这是
大陆厂商首度具有相关NAND芯片量产能力,意味红色供应链在NAND芯片领域技术更上一层
楼。
NAND芯片被广泛应用于固态硬盘(SSD)、记忆卡、嵌入式内存等应用,是关键电子零
组件,技术层次以三星、东芝、SK海力士等指标厂最为领先,台湾则有旺宏、华邦电等业
者朝中低阶领域切入。
这是紫光继日前大动作宣布投资12吋晶圆厂生产DRAM之后,又一在内存领域的重大突破
。业界认为,长江存储技术层次虽仍不及三星等指标厂,但仍将对旺宏、华邦电等台厂带
来压力。
台厂密切关注紫光动态,同时积极强化技术能力。以旺宏为例,内部已规划将NAND Flash
由36奈米全面提升至19奈米,目前已在客户端送样认证,预计第3季起量产,并开始贡献
营收。至于3D NAND芯片方面,预计2021年完成192层3D NAND芯片产品开发,初步规划以
三层式(TLC)规格产品切入。
长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示,随着5G、AI和超大规模
数据中心时代的到来,快闪存储器市场的需求将持续增长,长江存储64层3D NAND芯片量
产,将为全球内存市场健康发展注入新动力。
他并说明此次采用“Xtacking ”架构,是指可在两片独立的晶圆上,分别加工周边电路
和储存单元,这样有利于选择更先进的制造技术,而且当两片晶圆各自完工后,
Xtacking 技术只需一个处理步骤,就可透过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆结
合。
根据集邦科技最新调查,三星2018年NAND Flash销售额为 221.9 亿美元,全球市占率达
35%居冠。就目前的生产技术来看,三星、东芝目前都已经在量产96层堆叠的 3D NAND晶
片,SK海力士甚至要进一步生产128层堆叠产品。业界认为,长江存储顺利量产64层芯片
,意味进一步拉近与一线大厂的差距。