SK海力士HBM2E DRAM高频宽内存，预计2020年量产
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SK海力士(SK Hynix) 于2019年8月12日宣布，已开发出HBM2E DRAM，这是一种高频宽内存(high-bandwidth memory semiconductor)，可用于人工智能（AI）装置和超级电脑(supercomputers)。
SK Hynix表示，该款新芯片超过每秒460 GB，基于每个引脚(pin)的每秒3.6Gb性能和1,024个数据I / O，这比该公司一年前开发的HBM2 DRAM高出50％。
该芯片制造采用“穿硅通孔”（TSV：through-silicon via）技术以垂直堆叠8个16 Gb芯片，并封装出16 GB记忆存储器。SK海力士预计于2020年开始批量生产新HBM2E DRAM芯片。
新的HBM2E DRAM芯片产品主要应用于需要高速、高性能的记忆存储器，例如：图形处理卡、超级电脑、AI半导体及服务器。
SK海力士2019年第二季的DRAM销售额为42.6亿美元，占全球市场的28.7％。
根据维基百科，高频宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）是三星电子、超微半导体和SK海力士发起的一种基于3D堆叠制程的高效能DRAM，适用于高内存频宽需求的应用，像是图形处理器、网络交换及转发装置（如路由器、交换器）等。第一代高频宽内存2013年10月正式被JEDEC采纳为业界标准。第二代高频宽内存（HBM2）于2016年1月被JEDEC采纳。例如，NVIDIA在该年发表的新款旗舰型Tesla运算加速卡Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也采用了第二代高频宽内存。