三星电子开始量产136层第六代V-NAND SSD
新闻来源：https://bit.ly/33fGDJ3
本文：
三星电子于2019年8月6日宣布，已开始批量生产250千兆字节（GB）SATA固态硬盘（SSD）
，该硬盘是一个三位元V-NAND，集成了该公司的第6代（1xx层）256千兆位（Gb）。目前
，已进行SSD交付给全球PC制造商。
该新款SSD基于超过100层的第六代V-NAND，具有快速的数据传输速率。
该公司称其新的V-NAND利用3D内存提升，突破目前的电池堆叠限制。新产品为之前的9x
层单层结构增加了大约40％的单元。该公司构建由136层组成的导电模具叠层实现了这一
目标，然后从上到下垂直穿透圆柱形孔，形成均匀的3D电荷陷阱闪光（CTF）单元。该公
司称这种方法为“通道孔蚀刻”(channel hole etching)技术。
随着每个单元区域中的模具堆叠的高度增加，NAND闪存芯片往往更容易受到错误和读取延
迟的影响。三星表示，它通过采用速度优化的电路设计克服了这些限制。
该公司表示，这种速度优化设计使其能够提供超过300层的下一代V-NAND解决方案，只需
安装三个电流堆即可构建，而不会影响芯片性能或可靠性。
利用高速和低功耗特性，三星计划将扩大3D V-NAND版图的范围到下一代行动装置和企业
服务器等领域，还可针对高可靠性的汽车市场。
从企业的250 GB SSD开始，三星电子计划在今年(2019)下半年提供512 Gb三位元V-NAND
SSD和eUFS。该公司还计划从明年开始在其韩国Pyeongtaek园区第六代V-NAND解决方案扩
大生产，以满足全球客户的需求。
据市场研究公司IHS Markit表示，三星电子在今年第一季的DRAM市占率40.6％，NAND约
34.1％，排名第一。三星在DRAM市场上与SK海力士（29.8％）以及在NAND市场与东芝（
18.1％），仍保持一定领先。