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作者: pitalvlu (pital) 看板: Gossiping
标题: [新闻] 全球首创！ 清大团队研发出梦幻内存
时间: Thu Mar 14 21:15:03 2019
1.媒体来源:
自由时报
2.完整新闻标题:
全球首创！清大团队研发出梦幻内存关键技术
3.完整新闻内文:
〔记者简惠茹／台北报导〕清华大学工学院长赖志煌结合物理系教授林秀豪，带着博士生
林柏宏、杨博元组成跨领域团队，研发出梦幻磁性内存MRAM新一代核心技术，率全球之
先透过电子自旋流来操控铁磁、反铁磁奈米膜层的磁性翻转，研究今年2月登上材料领域
排名第一的国际期刊“自然材料”。
动态随机存取内存DRMA不仅耗电，且体积缩小逐渐达到极限，三星、英特尔、台积电等
国际大厂近年纷纷投入磁阻式随机存取内存MRAM的开发，业界预估今年即将有高密度MR
AM量产，清华团队更进一步找到最新关键核心技术，“透过电子自旋流来操控铁磁、反铁
磁奈米膜层的磁性翻转”将有助于磁性内存容量的扩大。
由于磁性内存处理资料关键在于磁铁的翻转，过去仅能靠升高温度造成翻转，导致新一
代SOT MRAM难以达到量产，赖志煌表示，他们利用自旋流通过铁磁、反铁磁膜层，操控元
件交换偏压的方向与大小来达成翻转，技术也已经申请到美国、台湾与中国专利。
林秀豪解释MRAM运作的原理，他说，电子不只带电荷，还有另一项自旋特性，当电子自转
时会产生极微小的磁矩，就像在芯片上形成千万个微小的磁铁，可以借由小磁铁的北极向
上或向下来决定0与1的记忆，因此，不运算时就不必供电，且就算运算到一半断电，资料
也不会消失，未来采用磁性内存的手机、平板，待机时间至少可延长一倍。
MRAM处理资料的方式，文章第一作者林柏宏说明，是透过电子自旋流来控制磁铁向上或向
下的方向，翻转磁铁来处理资料，过去因为室温下热能会让磁铁震动，磁铁太小的时候就
会抵抗不住热能随机翻转，所以在上方加上反铁磁，就像夹子一样固定住，但是又造成翻
转困难，只能靠升高温度并搭配大磁场才能翻转。
赖志煌从2009年就开始研究磁性内存，他说，他们的重要成果是提供新颖结构和机制，
轻松做到翻转，不翻转的时候也让磁铁状态保持稳定，他们在反铁磁下面加上重金属白金
，电流通过会产生自旋电子流，透过自旋的轨道矩来翻转铁磁层，改变磁铁和反铁磁的交
互作用方向，控制夹子打开或夹紧。
赖志煌在投稿国际期刊时吃了不少苦头，甚至还被怀疑是否为实验受到热源影响的“误会
”，赖志煌说，他们只能拿出更强而有力的铁证，及比最终刊出论文还长十倍的论述来佐
证，终于得到学界顶尖期刊的认可，这不仅是磁性内存的突破，也为自旋电子学的发展
带来崭新视野。
相关影音：
https://youtu.be/Z7i8us3oaVk
https://i.imgur.com/t647qhN.jpg
清华大学工学院长赖志煌（左）结合物理系教授林秀豪（右），带着博士生林柏宏（中）
、杨博元组成跨领域团队，研发出梦幻磁性内存MRAM新一代核心技术。（清华大学提供
）
https://i.imgur.com/kygsfRM.jpg
文章第一作者清大材料系博士班三年级学生林柏宏。（清华大学提供）
4.完整新闻连结 (或短网址):
http://bit.ly/2UwJjNS
5.备注: