三星电子开始量产下一代存储器MRAM
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三星电子已开始使用代工制程生产磁阻随机存取内存（MRAM：magnetoresistive
random-access memory），这是未来的半导体之一，市场预估MRAM将改变半导体市场的格
局。因为，MRAM克服了SRAM、DRAM、Flash限制，MRAM与DRAM一样快，并且与NAND般即使
在断电时也能保持数据。
三星电子于2019年3月6日宣布并发表首次发货仪式，已开始在基于28奈米全耗尽绝缘体硅
（FD-SOI）工艺的生产线上批量生产和商业化嵌入式MRAM（eMRAM）解决方案，在
Giheung Campus设立铸造生产线。
该解决方案解除了在数据记录期间擦除数据的需要，并且实现了比传统快闪存储器处理快
约1000倍的写入速度。三星表示，由于它在电源关闭时保存储存的数据并且不使用额外的
备用电源，因此它还具有出色的电源效率。
三星电子将FD-SOI工艺与嵌入式设计技术相结合。在FD-SOI工艺中，硅芯片覆蓋有绝缘膜
，在顶部形成电晶体(transistor)。其特征在于在电晶体工作期间产生的漏电流显著减少
。该公司在FD-SOI流程中增加了嵌入式存储器技术。嵌入式内存技术是一种内存模组
，用于系统半导体中的信息储存，如微控制器单元（MCU）和小型电子设备中使用的片上
系统（SoC）。
三星电子表示，该解决方案结构简单，可以通过在当前基于逻辑流程的设计中添加最少层
数来实现，从而减轻需求公司对进行新设计和降低生产成本的负担。三星计划扩展其嵌入
式内存解决方案，从今年开始生产1 Gbe MRAM测试芯片开始。三星电子计划明年(2020)
建立18-nm FD-SOI eMRAM流程。