先进逻辑IC技术火力全开、并不因成本增加而停滞
http://bit.ly/2BSRzR3
目前随着主流CMOS制程达到其理论、实际和经济上的极限，降低IC成本比起以往任何时候
都更具挑战性。现今晶圆厂提供的逻辑导向芯片的制程技术比以往任何时候点都还要来得
多。IC Insights列出目前不同厂商使用的几种逻辑技术。
英特尔：在2018年末，英特尔推出代号为Coffee Lake Refresh的第九代处理器。英特尔
虽然声称这些处理器是新一代产品，但是它们看起来更像是第八代产品的增强版。虽然细
节谈论很少，但这些处理器似乎是14nm++制程的增强版本，或者是可以被认知为是
14nm+++制程。
英特尔预计在2019年将10nm制程进入大规模生产，首批使用这个制程的产品将是2018年12
月推出的Sunny Cove系列处理器。从目前看来，SunnyCove架构基本上取代了原本计画在
2019年推出的10nmCannon Lake架构。预计到2020年，10nm+的衍生制程将进入量产阶段。
台积电：台积电的10nmfinFET制程于2016年底就已经投入量产，并在短短的两年间，从
10nm迅速发展至7nm。对于台积电来说，7nm产品将成为继28nm和16nm之后的又一个长寿的
节点。
至于台积电5nm制程，正在开发之中，且预计将于2019年上半年进入风险试产阶段，并于
2020年进入量产。该制程将使用EUV，但却不是台积电首次利用EUV技术的制程技术。第一
个采用EUV光刻机的是，7nm技术的改进版本N7+制程的关键层（四层）。但N5制程将广泛
使用EUV（最多到14层）。N7+计画于2019年第二季度开始量产。
三星：在2018年初，三星宣布开始量产名为10LPP（low power plus）的第二代10nm制程
。在2018年晚些时候，三星推出10LPU（low power ultimate）的第三代10nm制程。与台
积电不同的是，三星在10nm制程上使用三重曝光蚀刻技术，且三星认为其10nm制程系列（
包括8nm衍生产品）的生命周期将会很长。
至于三星的7nm技术于2018年10月已经投入风险试产。三星不再提供采用浸近式蚀刻技术
的7nm制程，而决定采用EUV。三星预计将EUV用于7nm的8-10层。
GlobalFoundries：将其22nmFD-SOI制程视为其主要市场，并与其14nm finFET技术相辅相
成。
2018年8月，GlobalFoundries宣布将停止7nm开发。主要原因，其主要客户AMD已宣布7奈
米产品采用台积电CLN7FF设计，且第二代 Epyc 服务器处理器（架构代号：Rome）将交由
台积电以7nm 制程负责生产。还有，先进技术节点的生产成本大幅增加，且太少的代工客
户计画使用下一代制程，进而让其战略进行重大转变。GlobalFoundries也调整了其研发
工作，以进一步增强其14nm和12nm finFET制程及其完全耗尽的SOI技术的竞争力。
总结，这五十年来，IC技术的生产率和性能得到了惊人的改善。即使随着时间推进，障碍
仍不断在扩大。但是IC设计人员和制造商正在开发比增加芯片功能更具革命性的解决方案
。