近期，市场普遍认为内存需求已经放缓，内存成长率可能逐步下滑。对此，韩国记忆
体大厂三星电子 (005930-KR) 计划在明年减少内存芯片产量的长幅，以紧缩供应，并
稳住价格。
据报导，全球最大的 NAND 和 DRAM 芯片生产商三星将下调今年 (2018 年) 内存芯片
的位元成长率以支撑价格。DRAM 的位元成长率将从原先预期的 20% 下修到 20% 以下，
而 NAND 快闪存储器的位元成长率也从原先的 40% 下修到 30%。位元成长率通常做为记
忆体产量的评估指标，用来衡量市场需求。
对此，三星没有表示任何回应。
本月早些时候，美国芯片制造商柯磊 (KLAC-US) 就曾对于芯片销售发出“干旱”的警告
，引发了市场对两年内内存产业超级周期可能会停滞不前的担忧。
“许多人一直担心内存周期已经触及高点，但供应量的下降可望能支撑价格。”
Elazar Advisors 分析师 Chaim Siegel 表示。他也补充道，造成 NAND 的供应过剩是由
于苹果 (AAPL-US) 撤回需求和固态硬盘 (SSDs) 不如预期中的快速成长。
Summit Insights Group 的分析师 Kinngai Chan 表示:“当然，这一新闻将为美光等记
忆体公司带来短期成长动能。”不过，他也表示“我们仍然需要继续监测未来几季 DRAM
和 NAND 价格下跌的速度。”
目前，市场上 DRAM 和 NAND 快闪存储器芯片的供应由三星、SK 海力士 (000660-KR) 和
美光 (MU-US) 共同主导。
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