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出版时间：2018/09/19 18:01
全新晶圆厂在本月初已开始量产96层3D NAND Flash。业者提供
https://i.imgur.com/jRuXfAs.jpg
东芝内存公司 (Toshiba Memory Corporation) 与Western Digital公司
今日共同于日本三重县四日市的6号晶圆厂 (Fab 6) 举行开幕仪式。
该晶圆厂为新设先进半导体制造厂区，
并设有内存研发中心 (Memory R&D Center)。
东芝内存公司于2017年2月开始兴建6号晶圆厂，
作为生产3D NAND Flash（快闪存储器）的专用厂区。
东芝内存公司与Western Digital已针对沉积 (deposition)
与蚀刻 (etching) 等关键生产制程部署先进制造设备，
新晶圆厂在本月初已开始量产96层3D NAND Flash。
3D NAND Flash在企业服务器、资料中心及智慧型手机的需求不断成长，
未来几年这些需求将持续扩大；
为因应此市场趋势，可望进一步投资扩大产能。
与6号晶圆厂相毗邻的内存研发中心已于今年3月开始营运，
负责研发并推动3D NAND Flash的发展工作。
东芝内存公司与Western Digital将持续推动并扩展双方在内存事业的领导地位，
积极开发各项计画以强化竞争力，推动3D NAND Flash的共同开发，
并根据市场趋势规划资本的投入。
东芝内存公司社长暨执行长成毛康雄 (Yasuo Naruke) 表示：
“很高兴有这个机会能为新一代的3D NAND Flash开拓更广阔的市场。
6号晶圆厂和内存研发中心能让我们在3D NAND Flash市场中维持领先地位，
借由与Western Digital的合资事业，
将协助四日市的工厂继续生产最先进的内存。”
Western Digital执行长Steve Milligan同步指出：
“近20年来我们合作无间，带动了NAND Flash技术的成长和创新。
此外，目前正积极提升96层3D NAND产能，
以因应从消费性、行动应用到云端资料中心等终端市场的各式商机 。
6号晶圆厂具备先进技术设备，将进一步提升在业界技术领先和成本领导的地位。”
（杨喻斐／台北报导）
东芝内存公司于2017年2月开始兴建6号晶圆厂，作为生产3D NAND Flash的专用厂区。
业者提供
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该晶圆厂为新设先进半导体制造厂区，并设有内存研发中心 。业者提供
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东芝内存与Western Digital公司今日共同于日本三重县四日市的6号晶圆厂 (Fab 6)
举行开幕仪式。业者提供
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