来源：
http://www.chinatimes.com/newspapers/20180617000276-260204
原文：
自2018年1月三星推出全球首款模组化拼接146吋Micro LED TV“The Wall”之后，
Micro LED再度受到业界广泛关注。目前Micro LED在技术寿命、对比度、能耗、反应时间
与可视角等均胜过LCD和OLED，已被众多厂商认为是下一代显示技术，龙头厂商如苹果、索
尼与三星等早已积极布局，推进Micro LED商业化进程。若Micro LED能突破技术瓶颈，特
别是巨量转移技术和制程后修复问题，预估未来5年内Micro LED将逐渐走向市场。根据
LEDinside预估，至2022年Micro LED以及Mini LED的市场产值将会达到13.8亿美元。
Micro LED概述与技术优势
Micro LED显示技术是将LED结构设计薄膜化、微小化与阵列化，尺寸仅约1～100微米
等级，并同时将精准度提升至传统LED的1万倍。此外，Micro LED具备无需背光源且能自发
光的显示特性，与OLED相似，唯一区别是OLED为有机材料自发光。当前OLED受各大厂商青
睐，是由于其在反应时间、视角、可挠性、显色性与能耗等方面优于TFT-LCD，但Micro
LED色彩更容易准确的调试，且有更长发光寿命和更高亮度，有望继OLED之后，成为推动显
示品质的技术。
在发光效率上，Micro LED需要将衬底移除，留下3～5微米的薄膜磊晶，光线直接射出
，出光效果显而易见，优于其他显示技术，如果未来的巨量转移技术做进一步的突破，
Micro LED在画质上也能够实现高分辨率，因其采用半导体微细加工技术，可将芯片尺寸
控制在微米级别和高画质，若应用在手机和穿戴装置等中小尺寸显示萤幕上，优势将十分
明显。
低功耗也是Micro LED一大优势，现有萤幕耗电量大，电池续航力是手机产业的痛点，
而无需背光模组的Micro LED，在追求高显示效果和产品性能同时，也能解决产业痛点。
最后，超高亮度和奈秒级反应速度是Micro LED最大特性。在户外太阳光直射下，显示
亮度至少需2,000尼特以上，但传统的LCD技术由于出光效率极低，因此显示效果较不理想
；相较之下，Micro LED可轻松达到10,000尼特以上，而Micro LED每个画素是由若干个微
型LED构成，理论上对比度可达到无穷极，反应速度上，则是LCD的10倍。