2018年半导体资本支出预测首次超过1000亿美元
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IC Insights预测今年(2018)半导体的全年支出成长预测从8％上调至14％，同时代表着资
本支出首次突破1000亿美元。全球2018年资本支出预测数字比2016年两年前的支出高出53
％。
尽管，三星表示今年还未公布全年的资本支出预测，但它确实表示2018年半导体资本支出
相比2017年将花费“更少”些，2017年约242亿美元。但是截至1Q18，其资本支出为67.2
亿美元，略高于前三季的平均。这个数字几乎是公司两年前1Q16花费的4倍! 过去四个季
度，三星为其半导体集团斥资266亿美元的资本支出。
IC Insights预测今年三星半导体集团资本支出将达到200亿美元，比2017年减少42亿美元
。不过鉴于今年的开支开始强劲，目前看来该预测仍存在更大的下降趋势。
由于DRAM和NAND快闪存储器市场仍然非常强劲，SK海力士(SK Hynix)今年的资本支出预计
将增至115亿美元，比2017年的81亿美元成长42％。SK海力士今年增加的支出将主要集中
在线上的两个大型内存厂M15，一家位于韩国清州的3D NAND快闪存储器制造厂，以及其
在中国无锡扩建的大型DRAM工厂。清州工厂在今年年底前开放。无锡晶圆厂也计划在今年
年底前开放，比原计划的2019年初，早几个月。
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