力旺采用TSMC七奈米推出NeoFuse、NeoPUF提供芯片更安全保护
http://bit.ly/2HNql2U
力旺电子(Ememory)2018.4.27宣布其安全内存硅智财NeoFuse已成功在台积高阶制程平
台完成验证，并即将在台积7nm制程推出更多安全防护功能，提供人工智能（AI）结合物
联网（IoT）的AIoT和高阶车用芯片最根本的资安保护。
为迎合全球资安议题日趋重视，力旺为台积7nm平台开发的安全强化版NeoFuse硅智财预定
于第二季完成设计定案，可提供高阶制程芯片最深层的保护。这项安全强化版IP同时结合
NeoFuse内存和力旺的芯片指纹NeoPUF，除了能安全储存资料外，还能提供深植于芯片
内部的芯片ID及可用于加密应用的乱数源(entropy source)，不仅能防止资料遭骇，也能
防范芯片被仿冒。
力旺的NeoPUF安全技术源自硅晶圆的物理不可复制特性(physical unclonable
functions)，在芯片设计及制造阶段就提供最根本的硬件保护，相当适合人工智能、物联
网及车联网等高安全需求芯片。
力旺电子嵌入式非挥发性内存硅智财NeoFuse已在台积的16nm FF+/FFC、 12nm和7nm制
程完成验证，其中16nm FF+/FFC制程IP已通过可靠性认证，而且已获采用于数位电视和机
上盒等需要内容保护的芯片设计。应用层面相当广泛，包括面板驱动IC、电源管理IC、控
制IC、物联网相关IC、感应器及车用IC等。
力旺在台积7nm平台开发的NeoFuse方案包含4K*32 bit的可一次编写内存(OTP)，操作温
度符合AECQ100 Grade 0标准 (-40 to 150°C)。NeoPUF则包含多达4K bit的乱数源，而
且在不需要使用辅助资料运算(helper data)的情况下就能达到零错误率。
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