不好意思
这类问题我认为有业界经验的人会比较清楚
所以前来询问
这个月我进行微传感器的制作
制程仅三道光罩制程
基板有事先沉积5000A的二氧化硅
目前进度是仅完成第一道光罩制程
即是：微影→BOE蚀刻→离子布值→退火
目前于第二道光罩制程的微影上卡关
https://i.imgur.com/SyajyDr.jpg
https://i.imgur.com/KszApqi.jpg
将目前的试片
直接用显微镜照射能看到浅浅的图型
但是一旦涂布上光阻
就什么都看不到了
https://i.imgur.com/lPyVeme.jpg
https://i.imgur.com/GYdFRq2.jpg
上面两张图是对准晶圆边缘的校准记号
但是显微镜显示却是一片漆黑
原本想说因为我使用的是厚光阻AZ4620
就去中山借用了微影系统
他们使用的是AZ1500
涂布后光阻厚度仅1.5um
但是当他们光罩对准机的光学显微镜一打下去
同样是一片雪白
无法分辨硅与二氧化硅的差异
可是后来想想要是真的无法分辨硅与二氧化硅
那目前市面上的MOSFET到底是怎么做出来的？
我认为问题一定出在我制程的某个环节上
不好意思打扰大家
谢谢各位

5000A太浅了吧 觉得应该看不到...

光阻的折射率跟二氧化硅太接近了

就机台差异啊 当你有一台6000万的机台 你就不会有这个问题了 学校呵呵

列几种可能：（1）第一道蚀刻吃太浅，导致align mark盖上光阻后不明显。（2）anneal的thermal budget没算好，导致oxide还是amorphous。(3)确认第二道mask 是不是没layout align mark，很蠢，但是真的有可能……(4)OM or SEM设定错误，OM焦距对比调看看/SEM 能量调高点

去问邱主任的实验室学生

我觉得是p大说的3，la mark 问题 没有或线宽太小

1.5um 很厚好吗...另外你跑错地方了OM的DOF是nm等级的~你盖那么厚看不到前层是很正常4楼乱教 SEM只看的到当层~跟SEM一点关系都没有

有没有试过把光阻拔掉再去看一下alignment mark?OM就看不到的话那和SEM就无关联了

在MEMS来说1.5um是薄没错你要不要试试看 整片不曝直接显影 再拿去外面的OM或可能线宽太细了 外面强光看得到的话 可能把mark的线宽加大试试

Level sensor?

反正只要不是蚀刻没吃出来或光阻流不进去 一切好谈aligment mark的线宽不会影响你实际成品的功能

如果你的AM只有0.5um深，看不到很正常

同意楼上S大 我的意思就是5000A要当AM太浅了吧QQ我之前学生时代做的MOS第二道光罩要对的AM是用metal gate顺便一起做的

制作前段STI的PR都很薄，因为resolution才够，1.5 um这种都是后段甚至是封装业在使用的

封装都马十几um在抠的

thermal budget不是这种用法吧?抱歉会错意惹

电子显微镜看不到前层拉 业界都是用雷射光源反射讯号对准然后用可见光量测结果拉

你sio2离子布值完就洗掉了吧，要一个KEY光罩先RIE基板吃出key图形方便后面对准

以前用om勉强能看出500a深的Trench你这没理由看不到

学校机台的问题，有个方法是可以用负光阻搭配oxide做微影变化

GG的N28开始double paterning制程段就有这样状况

多一道光罩随便co个金属上去当AM不就好惹

一开始先在空地做alignment mark吧。选Au or Ti 加上lift off process

想法同上层,但你后面的mark应该要打掉重来，有金属当mark比较好

看不懂Orz

同楼上，建议先作一个第0层mark，金属比oxide的辨识度高