楼主:
oway15 (clinical lycanthropy)
2018-02-10 14:46:50不好意思
这类问题我认为有业界经验的人会比较清楚
所以前来询问
这个月我进行微传感器的制作
制程仅三道光罩制程
基板有事先沉积5000A的二氧化硅
目前进度是仅完成第一道光罩制程
即是：微影→BOE蚀刻→离子布值→退火
目前于第二道光罩制程的微影上卡关
https://i.imgur.com/SyajyDr.jpg
https://i.imgur.com/KszApqi.jpg
将目前的试片
直接用显微镜照射能看到浅浅的图型
但是一旦涂布上光阻
就什么都看不到了
https://i.imgur.com/lPyVeme.jpg
https://i.imgur.com/GYdFRq2.jpg
上面两张图是对准晶圆边缘的校准记号
但是显微镜显示却是一片漆黑
原本想说因为我使用的是厚光阻AZ4620
就去中山借用了微影系统
他们使用的是AZ1500
涂布后光阻厚度仅1.5um
但是当他们光罩对准机的光学显微镜一打下去
同样是一片雪白
无法分辨硅与二氧化硅的差异
可是后来想想要是真的无法分辨硅与二氧化硅
那目前市面上的MOSFET到底是怎么做出来的？
我认为问题一定出在我制程的某个环节上
不好意思打扰大家
谢谢各位
作者: resudi (我累了 真的累了~) 2018-02-10 15:16:00
光阻的折射率跟二氧化硅太接近了
就机台差异啊 当你有一台6000万的机台 你就不会有这个问题了 学校呵呵
作者: poemsing (___) 2018-02-10 15:32:00
列几种可能：（1）第一道蚀刻吃太浅，导致align mark盖上光阻后不明显。（2）anneal的thermal budget没算好，导致oxide还是amorphous。(3)确认第二道mask 是不是没layout align mark，很蠢，但是真的有可能……(4)OM or SEM设定错误，OM焦距对比调看看/SEM 能量调高点
作者:
m4vu0 (m4vu0)
2018-02-10 15:33:00去问邱主任的实验室学生
作者: rgnvgy 2018-02-10 15:58:00
我觉得是p大说的3，la mark 问题 没有或线宽太小
1.5um 很厚好吗...另外你跑错地方了OM的DOF是nm等级的~你盖那么厚看不到前层是很正常4楼乱教 SEM只看的到当层~跟SEM一点关系都没有
作者:
melzard (如理实见)
2018-02-10 16:32:00有没有试过把光阻拔掉再去看一下alignment mark?OM就看不到的话那和SEM就无关联了
作者:
gj942l41l4 (米食主義者)
2018-02-10 16:54:00在MEMS来说1.5um是薄没错你要不要试试看 整片不曝直接显影 再拿去外面的OM或可能线宽太细了 外面强光看得到的话 可能把mark的线宽加大试试
作者:
film (......)
2018-02-10 17:07:00Level sensor?
作者:
gj942l41l4 (米食主義者)
2018-02-10 17:10:00反正只要不是蚀刻没吃出来或光阻流不进去 一切好谈aligment mark的线宽不会影响你实际成品的功能
作者:
shaddle (我住在深海的大苹果里)
2018-02-10 17:32:00如果你的AM只有0.5um深，看不到很正常
同意楼上S大 我的意思就是5000A要当AM太浅了吧QQ我之前学生时代做的MOS第二道光罩要对的AM是用metal gate顺便一起做的
制作前段STI的PR都很薄，因为resolution才够，1.5 um这种都是后段甚至是封装业在使用的
作者:
wzmildf (我ä¸æ˜¯è˜¿èŽ‰æŽ§)
2018-02-10 19:34:00封装都马十几um在抠的
作者: lponnn (快乐的狼) 2018-02-10 21:07:00
thermal budget不是这种用法吧?抱歉会错意惹
作者:
ricyear (被鬼缠身 =.=)
2018-02-10 21:48:00电子显微镜看不到前层拉 业界都是用雷射光源反射讯号对准然后用可见光量测结果拉
作者: jkasc28s (Soda) 2018-02-10 22:15:00
你sio2离子布值完就洗掉了吧，要一个KEY光罩先RIE基板吃出key图形方便后面对准
作者: joshhuang100 (joshhuang100) 2018-02-11 08:01:00
以前用om勉强能看出500a深的Trench你这没理由看不到
学校机台的问题，有个方法是可以用负光阻搭配oxide做微影变化
作者:
iFann (好饿饿饿.....)
2018-02-11 12:01:00GG的N28开始double paterning制程段就有这样状况
一开始先在空地做alignment mark吧。选Au or Ti 加上lift off process
作者: S0053011 (hanggg) 2018-02-11 19:07:00
想法同上层,但你后面的mark应该要打掉重来，有金属当mark比较好
作者: ann167c 2018-02-12 22:34:00
同楼上，建议先作一个第0层mark，金属比oxide的辨识度高