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传三星将大幅扩产DRAM 内存价格恐遭冲击！
〔即时新闻／综合报导〕日前摩根士丹利报告指出，本波NAND Flash供不应求可能在明年
第1季触顶，如今又传出三星电子将大幅增产DRAM，恐造成供应过剩，对内存价格造成
冲击。
韩媒《etnews》报导，三星将在韩国平泽（Pyeongtaek）厂区的半导体厂是两层楼建筑，
二楼无尘室将近完工，并开始订购3D NAND flash设备，产能预估为每月1万组。半导体厂
一楼与二楼分别可生产10万、20万组芯片，二楼又分为东、西翼，东翼预定生产7万组3D
NAND flash和3万组DRAM、西翼预定生产10万组DRAM。
报导指出，虽然三星扩产意味着乐观看待未来需求，但外界担心供过于求，特别是DRAM的
部分。报导表示，如果三星加快投资脚步，决定使用二楼大部分产能生产DRAM，内存价
格的上涨趋势可能转化为下跌趋势。此外，三星西安厂也可能会增产，预估于2018年底或
2019年启动。
(自由 106-12-04)