旺宏电子总经理卢志远 获科技管理学会“科技管理奖”
〔记者洪友芳／新竹报导〕
内存大厂旺宏电子总经理卢志远获第19届中华民国科技管理学会“科技管理奖”，
今由学会理事长吴思华颁赠“科技管理奖”给卢志远，以表彰他在科技管理上的杰出表现
。
卢志远除了对国内半导体产业具有卓越贡献，在国际学术界也备受推崇，为学术研究
与产业发展均有优异表现的跨界人才，他长期投入于科技创新及尖端研发，是一位杰出科
研专家，且又能具体实践应用。
卢志远在1980年代中期，曾在美国AT&T Bell Labs领导研究计画，当时就研发出高达
600V的BCDMOS IC技术，为业界最高伏技术；1987年，他也是全球首位于IEDM发表DRAM最
诡谲的可靠性问题技术论文，促使业者大幅提升DRAM可靠度，之后领导研发0.6微米CMOS
第六代Twin-tub制程技术，部份技术理论迄今仍被广泛引用。
1989年，卢志远受邀回台出任工研院电子所副所长，带领工研院团队执行台湾最大科
专计画─次微米计画，不但让台湾具备8吋晶圆产制能力，更成功将台湾推向世界高科技
舞台。次微米计画后衍生成立世界先进公司，成为催化台湾内存产业的重要推手。
1999年，卢志远加入旺宏电子，专注非挥发性内存前瞻技术研发，18年来，他带领
旺宏研发团队持续在国际重要学术会议如IEDM、ISSCC、VLSI等发表多项次世代内存先
驱技术，研发实力屡获全球高度肯定。
卢志远浸淫半导体界逾30年，积极钻研电子元件及材料科技，发表超过400多篇学术
及技术论文，更拥有150余项国际专利，对半导体界的贡献良多，陆续获得诸多国内外奖
项及荣耀肯定，包括美国电机电子学会IEEE千禧杰出奖章、潘文渊文教基金会研究杰出
奖、科技研发工程师界奥斯卡奖之称的IEEE Frederik Philips Award、国家最高荣誉科
学研究奖项总统科学奖及世界科学院（TWAS）工程科学奖等，更获得美国物理学会APS
Fellow、IEEE Fellow、中华民国科技管理学会院士、工研院院士、台大杰出校友、交大
名誉博士等荣誉。
http://news.ltn.com.tw/news/business/breakingnews/2270708
(自由时报 2017-12-01)