[情报] 东芝投入17.5亿美元建3D NAND新厂、将在2019年量产
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东芝于2017年7月底宣布新计划，将投入17.5亿美元兴建新3D NAND快闪存储器生产基地。
新厂房会在2018年中完成，晶圆厂将在2018年底开始生产第一批3D NAND晶圆片，而晶圆
厂将会在2019年开始量产。
因应市场趋势，目前NAND快闪存储器市场供不应求，公司预计在下一个晶圆厂的第一阶段
就达到最高生产量。眼看三星的产能的大幅增长，也是东芝想要极限地提高制造厂产能的
另一个原因。目前其他任何制造商的NAND快闪存储器产量都无法超越东芝和Western
Digitals(已收购东芝的合作伙伴SanDisk)在日本三重县的生产基地，而东芝一定会竭尽
全力保持现下的状态。
除了新的生产厂房，东芝还计划在晶圆厂附近建造一个新的内存研发中心，集中公司内
部所有NAND快闪存储器的研发活动，以加快技术发展。而且，将研发和生产地相邻有助于
流程简化，提高竞争力。
东芝宣称新晶圆厂将拥有3D NAND独家技术BiCS (Bit Cost Scalable)NAND，由于其特殊
的U形NAND串与BiCS同尺寸其他类型相较，更有效率。
目前，东芝和Western Digital在最近开设的Fab 2（如图）中生产3D NAND，也开始将
Fab 5转换为3D NAND的厂房。因此，若Western Digital也参与东芝新厂投资，三年后他
们将拥有三条3D NAND生产线及厂房。在此之前，他们将不得不仰赖以改进Fab 5和现有晶
圆厂，作为提升生产的主要手段。
现在东芝和Western Digital持续生产48层BiCS 3D NAND内存。这种类型的快闪存储器
大多应用在嵌入式及可移动式装置，但除了2016年稍早东芝推出的BGA SSD以外，目前不
用于固态硬盘(Solid State Disk，SSD)。Western Digital证实，客户已经收到64层
BiCS NAND芯片的样品，并准备在2017上半年开始开始批量生产此类IC。
过去，东芝持续投资NAND快闪存储器并供货给客户SanDisk，并与Western Digital合作进
行3D NAND快闪存储器的生产，后来Western Digital收购SanDisk。之后，Western
Digital对东芝抛售TMC半导体业务的行为持反对意见，并诉诸法律诉讼。声称东芝此举并
未咨询Western Digital意见，已违反当初双方所签定的合资协议。
三星电子未来3年至少投资186亿美元扩建新晶圆厂、DRAM、3D NAND内存厂
三星电子计画未来四年在韩国投资至少186亿美元（21.4兆韩圜），兴建DRAM及3D Nand
Flash内存芯片与智慧型手机用的下一代面板工厂。期望能够持续维持其在半导体与智
慧型手机面板的地位。其中，在平泽市的新NAND型快闪存储器工厂将斥资14.4兆韩圜，另
外也计划投资华城内存芯片6兆韩元，以兴建新生产线。至于将在中国大陆西安投入70
亿美元增设一条NAND生产线。
根据DRAMeXchange最新调查报告，目前2017年第二季三星在全球NAND内存市占为35.6%
，东芝以17.5%排行第二，美国威腾电子、美光及SK海力士则分占17.5%、12.9%及9.9%。
大举投资，产生3D NAND flash产能过剩疑虑
由于智慧型手机与服务器性能不断提高，加上市场对于数据中心、人工智能、无人驾驶汽
车的需求不断出现，使得三星等半导体厂纷纷投资设备，尤其对3D NAND更是首选。但是
，大手笔投资，也让市场忧心忡忡，怕过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。而且，未
来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/SanDisk、武汉新芯(XMC)/长江存储
(Yangtze River Storage)都大举提高3D NAND flash产能，未来可能还有中国新业者加入
战场，3D NAND flash产能过剩很可能会发生。
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