http://tinyurl.com/jqam4as
晶圆代工厂联电今日宣布，其自主研发的14奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程技术，已
成功进入客户芯片量产阶段。出货给主要客户的14奈米量产晶圆，良率已达先进制程的业
界竞争水准。
联电执行长颜博文表示，此次14奈米量产，是联电与客户携手努力的成果，同时，与其他
客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，发挥14奈米FinFET在效能、功耗和闸密
度的优势。
联电指出，其14奈米 FinFET制程速度较28奈米增快55％，闸密度则达两倍，功耗亦较28
奈米减少约50％。14奈米客户芯片现正于台南Fab 12A晶圆厂生产中，未来将因应客户需
求，稳步扩充14奈米产能。