之前看到有新闻说
台G 16 nm/三星 14 nm大概跟intel的20 nm效能差不多而已
请问是真的吗?
可是这样看起来台G蛮威的阿
7nm FinFET都要出来了
虽然一直听说Intel的制程技术领先台积1-2个世代
然后它也想加入代工战局(Morris爷爷说 Intel想试水温 会发现水很冰冷)
请问就这次ISSCC的新闻来说 台G的制程能力请问赶上Intel了吗?
※ 引述《qq1234 (123站着穿)》之铭言：
: 来源：http://technews.tw/2016/11/15/tsmc-in-isscc/
: 领先三星、格罗方德！台积电 ISSCC 2017 首揭 7 奈米 FinFET 技术
: 台积电、三星、格罗方德等半导体大厂开启在 7 奈米制程争战，而现在台积电有望领先
: 群雄在 2017 年国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits
: Conference，ISSCC）率先发表 7 奈米 FinFET 技术！
: 全球 IC 设计领域论文发表最高指标国际固态电路研讨会（ISSCC）下届确定于 2017 年
: 2 月 5~9 日在美国加州登场，台积电设计暨技术平台组织副总侯永清将担任特邀报告（
: Plenary Talks）讲者。
: 这次台积电 5 篇论文获选（美国台积电 1 篇），2 篇论文为类比电路领域，内存电
: 路设计则有 3 篇。此次 ISSCC 2017 入选的 208 篇文章中，台湾产学研各界领域有 15
: 篇，除了台积电 5 篇，台湾 IC 设计一哥联发科此次有 4 篇，南亚科转投资 IC 设计公
: 司补丁科技也有 1 篇获选，其他交通大学 3 篇、台湾大学 2 篇、清华大学 1 篇。
: 值得关注的是，此次台积电将领先业界在大会上发表 7 奈米 FinFET 技术。揭示迄今最
: 小位元数 SRAM 在 7 奈米 FinFET 的应用，验证 0.027μm2 256 Mbit SRAM 测试芯片
: 在 7 奈米制程下，能大幅提升手机、平板电脑中央处理芯片运算速度，同时满足低功率
: 需求。
: 台积电、三星通常以 SRAM、DRAM 来练兵，先从内存下手，当良率提升到一定程度再导
: 入逻辑产品。台积电先前预估 10 奈米年底量产、7 奈米最快 2018 年第一季生产，然在
: 英特尔宣布放缓 10 奈米以下制程投入进度后，台积电与三星在 10 奈米、7 奈米先进制
: 程展开激烈缠斗。
: 三星在 10 月初抢先台积电宣布 10 奈米量产，市场近期传出台积电 7 奈米最快在明年
: 2017 就可试产、4 月接单，拉升 7 奈米制程战火。三星在 7 奈米就引进极紫外光（
: EUV）微影设备，力拼 2017 年年底 7 奈米量产。
: 而格罗方德则宣布跳过 10 奈米，直接转进 7 奈米，预估 2017 年下半可进行产品设计
: 定案（tape out），2018 年初开始风险生产（risk production）。
: （首图来源：科技新报摄）

是等效16nm 不是真的16nm 我听五楼说 五楼帮解答

重要吗。 intel制程能用的只有intel 这跟芯片代工根本脱钩你会因为intel制程比较高级就抽GG单吗。上一次这样做的公司现在已经...

五楼不知道

AMD???

G

Morris

一楼正确

应该说连7nm都不知道是定义哪里的7nm以前是cmos定义上比较明确 改FT后定义上就不明确了

几nm一点都不重要 谁塞的电晶体数最多 才是最厉害的

那Intel还是比较强

是线宽不是效能,但FINFET都3D了,比CD不比FIN hight?

所以说穿了 几nm根本不是重点 效能 良率 面积 才是真的还有光罩价格也是 到时候还是要看跟10哪个cp值高能投到这么先进的家数也没几家了 都是烧钱

Fin CD 比较接近

太阳饼的概念

明明是把pc消掉的产能移出来卖,又不是主业

真正机密技术是不会去研讨会发表的

这类的paper不会写细节，但是是指标