[请益] 台GG面试题目值得深思的小问题 nicky1245 PTT批踢踢实业坊

楼主: nicky1245 (c8c8c8) 2016-06-14 18:14:06

各位大大好
我今天在台积电面试的题目，看起来很简单，但是满值得思考的问题。

作者: maxshao (心若冰清) 2016-06-14 18:20:00

我记得老师有说过空乏区好像有一个最小值，并不会消失，至于为什么，老师也没讲很清楚，求高人解答！

作者: peter308 (pete) 2016-06-14 18:32:00

你是中国人吗?大注入 PN结电阻好像都是对岸用法

作者: ljsnonocat2 (平凡是幸福) 2016-06-14 18:38:00

元件物理

作者: mlda888 ((╭￣3￣)╭♡ ) 2016-06-14 18:54:00

不难~半物就有教了

作者: HardyJJ (JJHardy) 2016-06-14 19:21:00

电子学没念哦没差拉，主管喜欢你，会说进来再学就好

作者: peter308 (pete) 2016-06-14 19:26:00

台湾的公司为什么找大陆人面试台湾人啊? @@

作者: billy18 (帅哥) 2016-06-14 19:26:00

自己的作业自己写

作者: h5904098 (LBJ IS GOD) 2016-06-14 19:45:00

为啥pn内建位障是0.7？那不是是导通电压？

作者: pepeengle (W) 2016-06-14 19:57:00

你先去补大硕

作者: j2222222229 (j2222222229) 2016-06-14 20:10:00

有点看不懂内键0.7V怎样假设不消失

作者: morrismos (keyway) 2016-06-14 20:13:00

顺偏电压下，P型能带下弯，N型能带上弯，导电载子所需跨越的电位障视两段掺杂浓度而定。空乏区不会消失且会窄于热平衡时的宽度，载子不断地向彼此进行扩散，内建电场的形成是为了抵制两端载子的扩散。

作者: j2222222229 (j2222222229) 2016-06-14 20:14:00

应该是pn导通视同电阻，所以2.3给这个电阻

作者: morrismos (keyway) 2016-06-14 20:55:00

假设单边陡接面(P+N)情况下，电压可几乎于N型空乏区与与N型本体电阻上压降几乎横跨在N侧空乏区与N型半导体的本体电阻上(相对高阻值)，因为浓度与阻值成反比

作者: Narcissuss (太神拉~) 2016-06-14 23:48:00

0.7 不是用背的吗

作者: ljsnonocat2 (平凡是幸福) 2016-06-15 00:06:00

wiki查到的图我猜应该是问这个http://tinyurl.com/gszd5qp其实如果不是做device 元件物理根本几乎用不到

作者: jonathan0207 (放开那个大叶) 2016-06-15 05:26:00

剩下的2.3V应该是金属+PN接面准电中性区域的等效电阻特别是PN半导体掺杂浓度越低，电阻值越高

作者: Shepherd1987 (夜之彼方) 2016-06-15 19:14:00

会烧掉吧... 不然就被clamp current限制住，电压加不上去理想状态的话能障在0.7V+时被克服 N+P+部分就像一根电阻～2.3V等于极大I乘上极小R

作者: blacker1019 2016-06-16 01:25:00

据我所知gg面试从来没有问过半导体相关问题

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