※ 引述《zcliu026 (中港阿志)》之铭言：
: 刚好翻到这篇旧文 里面有些预测现在看起来似乎有点失准
: 例如文中提到2022年 CMOS的发展就会走到物理极限11nm
: 不过现在看来这个所谓的"物理极限" 很有可能在明年就可以达到
: 而且还很有机会在往下走XD
: 没有要吐槽原po的意思 毕竟以当时的观点来看 原po说的其实算中肯
: 只是没料到科技的发展如此神速 一切都让人始料未及
: 有没有专业的大大要评论一下的
zcliu026大您误会了
ITRS 所说的 11 nm 是 "Physical gate length"，
就是芯片切开来看到的真实宽度，
你提到要量产的 10 nm，只是个名字，
或者说是 "drawn gate length"，电路设计时让你画爽的...
网络查一下，就会看到 Intel 22 nm 产品，
gate pitch 是 90 nm，gate length 是 30 nm，(咦?)
22 nm 既不是 half-pitch，也不是 gate length，
只是个名字......。
事实上，gate 微缩的物理与制程问题都已经遇到了，
因此各家的 gate length 不一定照着摩尔定律缩，(每代0.7x)
甚至连 gate pitch 都没乖乖缩，
真正照摩尔定律缩的，只有你看到名字而已。
所以，要做工程相关的讨论，
还是要看真正的gate length才准。