全球最大设备厂应用材料宣布推出Applied Centura Tetra Z光罩蚀刻系统，为业界所需
的新一代光微影术光罩蚀刻技术，继续精进多重曝影尺寸缩放至10奈米以下。
应用材料表示，Centura Tetra Z系统所提供的光罩蚀刻技术，首创能够进行10奈米以下
四重曝影的解决方案，独步业界；世界级的光罩蚀刻效能与缺陷控制技术，符合逻辑与记
忆体装置的先进图案制程技术要求。
台积电虽然有意在10奈米及7奈米的部份光罩层导入极紫外光（EUV）新技术，但是10奈米
及7奈米的主要微影技术仍会以浸润式（immersion）多重曝影技术为主。所以，应用材料
此次推出新一代光罩蚀刻系统，可支援10奈米以下，正好符合台积电及英特尔等国际大厂
需求。
应用材料表示，Centura Tetra Z系统透过新机台而再次扩充功能，提供所需的线宽（CD
）参数“埃（angstrom）”等级光罩精密度，满足未来逻辑与内存装置严苛的图案制程
规格。应用材料光罩蚀刻产品处总经理瑞欧．耶拉曼奇里（Rao Yalamanchili）表示，蚀
刻技术是制造光罩的关键，使用193奈米波长来制作10奈米或7奈米的图案，需要各种最佳
化技术，包括浸润与多重曝影，高度仰赖光罩的运用。
Centura Tetra Z系统是最先进的光罩蚀刻技术，运用精密材料工程及电浆反应动力学的
精进科技，扩充了193奈米（193nm）微影技术的应用，能为新一代光学光罩蚀刻提供所需
的精确度，制作先进节点设计的图案。
应用材料针对进阶的铬、硅化钼（MoSI）、硬质光阻层和石英（熔硅石）蚀刻应用，开发
了Tetra Z工具，以制造先进的二元式与相位移光罩（phase-shift masks），优越的系统
展现了持续的技术创新与前所未见的线宽效能，将浸润式微影术延伸应用于四重曝影与先
进的分辨率强化技术，用以确保图形转移保真度的重要功能，包括了针对所有特征尺寸进
行均匀的线性精密蚀刻，以及近乎零缺陷的图案密度。
http://www.chinatimes.com/newspapers/20150511000077-260204