半导体设备大厂美商应材公司今日宣布推出最先进的3D芯片架构的离子植入技术，将可提
升半导体20奈米以下的FinFET（鳍式场效电晶体）良率提升，预料将有助台积电20奈米及
16奈米良率提升，加速对营收贡献。
应材表示，这项命名VIISta 900 3D系统是业界最先进的中电流离子植入机台，除应用制
造次20奈米以下的FinFET制程外，也可应用生产3D储存型快闪存储器（NAND Flash）。
应材强调，这套系统在精密材料工程设计方面采用多项创新技术，可提升元件效能、减少
变异性，并让日渐复杂的高效能、高密度3D元件良率大幅增加，尤其对行动装置产品所的
CMOS影像传感器中的发光二极管及逻辑元件结构，是最佳的制程选择。
http://udn.com/NEWS/BREAKINGNEWS/BREAKINGNEWS6/8777006.shtml