全球最大半导体设备厂应用材料全球副总裁余定陆昨（6）日表示，应用材料推出
Applied Endura Volta化学气相沉积（CVD）钴金属系统，解除导线技术瓶颈，让摩尔定
律持续往下微缩至20奈米以下制程。他表示，由于晶圆制造技术突破，2014年是晶圆代工
20奈米及3D NAND起飞量产年。
应用材料宣布推出Endura Volta化学气相沉积钴金属系统，这机台是市面上唯一能沉积精
密的钴金属薄膜，为28奈米以下的逻辑芯片提供铜导线包覆的能力，能够解除导线技术瓶
颈，让摩尔定律持续往下微缩。同时，应用材料Endura Ventura物理气相沉积（PVD）系
统也能协助客户降低成本，利用直通硅晶穿孔（TSV）技术来生产尺寸更小、功耗更低、
整合度更高的3D芯片。
http://www.chinatimes.com/newspapers/20140607000142-260206