【经济日报╱记者简永祥／台北报导】
2014.03.03 03:26 am
联电执行长颜博文。
（联合报系数据库）
联电苦熬一年多的28奈米制程有重大突破，承接先进网通及高阶手机芯片的关键高介电常
数金属闸极（HKMG）制程，已获全球第二大IC设计商博通（Broadcom）认证，第2季开始
接单投片，营运出现大转机。
目前28奈米全球晶圆代工市场由台积电独霸，联电先前一度对28奈米进度保守，随着相关
制程接单报捷，意味联电将可分食台积电28奈米制程商机，引爆晶圆双雄沈寂多时的高阶
制程大战。由于28奈米毛利较高，有助联电本业大跃进。
联电高层证实28奈米HKMG制程良率近期显著提升，但不评论个别客户认证及接单进度。市
场预期，未来包括高通、联发科等更多28奈米制程设计的手机芯片，也会陆续转移部分订
单至联电。
高通策略暨营运资深副总裁戴维森（Bill Davidson）日前与台湾媒体举行视讯记者会时
便透露，高通采取更多元的代工来源是既定政策，当时的谈话便暗示一旦联电28奈米HKMG
良率提升之后，高通将考虑对联电释单。
设备商透露，联电28奈米HKMG去年积极追赶台积电脚步，并采取以“T-Like”模式，争取
成为台积电客户的第二供应来源，但进展不如预期，也使联电去年28奈米制程营收占比还
只是低个位数。
联电近年因高阶制程进度落后台积电，基本面表现平平，上季仅小赚7亿余元，逼近损益
两平；去年全年纯益126亿元、每股纯益1.01元。今年初联电执行长颜博文在法说会时，
仍对28奈米HKMG制程进展持保守态度。
图／经济日报提供
法人指出，联电去年即已建置28奈米HKMG约1.5万片月产能，随着良率与接单传出喜讯，
短期内仍难撼动台积电在28奈米的领先优势，但对联电而言，意义重大，本业将迎接转机
。
尤其手机硅智财（IP）授权大厂安谋（ARM）主推28奈米制程架构平台，主攻中低阶智慧
型手机，获得高通和联发科、博通及迈威尔等手机芯片厂采用，预料第2季开始大量导入
。联电28奈米HKMG适时切入28奈米需求爆发的时间点，搭配主力制程40奈米和高压特殊制
程订单持续强劲，第2季营收将展现强劲爆发力。
联电上周四（27日）股价跌0.05元、收12.3元。
14奈米加速 缩短差距
【记者简永祥／台北报导】联电28奈米制程获得关键性突破，公司同步启动14奈米FinFET
（鳍式场效电晶体）正式试产前的“风险试产线”建置作业，预计今年底进行风险性试产
，明年下半年量产，希望能缩小与台积电的差距。
据了解，联电14奈米以下制程采取加入IBM技术开发联盟，与格罗方德及三星成为同一技
术阵营。
联电去年即派出工程团队赴美国参与IBM技术联盟，并在南科设立研发中心，准备将14奈
米制程导入在联电南科12A厂生产。
阅读祕书／HKMG制程
高介电常数金属闸极制程可以有效降低栅极电容，并能让电晶体缩小，容纳更多电晶体数
，减少漏电并提升效能。
随着智慧型手机追求更轻薄短小，手机应用处理器效能要求更强大、更省电，这项制程即
成为承接手机芯片及可编辑逻元件主流技术，更被视为迈向鳍式场效电晶（FinFET）等3D
架构的前期指标。 （简永祥）
【2014/03/03 经济日报】@ http://udn.com/
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