全球半导体业者为了执掌次世代内存芯片主导权，竞争逐渐白热化。
根据日本“日经新闻”（Nikkei）报导，东芝（Toshiba JP-6502）与韩国SK海力士（SK
Hynix Inc. KR-000660）最快将于2016年会计年度携手量产次世代内存芯片MRAM（磁阻
式随机存取内存），量产时间比美国半导体大厂美光科技（Micron Technology US-MU
）计划的2018年提前约2年时间。
东芝与SK海力士正在研发的MRAM，其特征是即使关掉电源，数据也不会消失。与目前广泛
使用于个人电脑、智慧手机与其他装置的DRAM（动态随机存取内存）相比，MRAM资料贮
存量是DRAM的10倍，但耗电量却仅有2/3。
改用MRAM可延长装置的电池寿命，加快大量数据传输速度，例如影音档案等，并可让电池
与其他零组件实现小型化，将促进穿载式装置，例如眼镜型与手表型电脑的开发。
报导指出，东芝与SK海力士于2011年开始携手开发MRAM，并计划于2014年会计年度开始提
供样品。样品将由位于首尔郊外的SK海力士工厂生产。
如果需求可期，2016会计年度将会在韩国启动量产，东芝与SK海力士还将讨论筹组合资公
司，打算投入1000亿日圆（9.4亿美元）资金，在日本或韩国开辟专门生产线。
目前竞逐MRAM研发的可分为三大阵营，除东芝与SK海力士的日韩联军外，美光现正与东京
威力科创（Tokyo Electron JP-8035）等20家左右的美、日半导体业者展开合作，力争在
2018年实现量产。
内存龙头三星电子公司（Samsung Electronics Co. KR-005930）仍维持自主研发路线
，但将积极加强产学合作。
http://www.cna.com.tw/news/ait/201401050033-1.aspx