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联电加入IBM芯片联盟共同开发10奈米制程技术
联华电子与IBM今日(13日)共同宣布，联华电子将加入IBM技术开发联盟，
共同开发10奈米CMOS制程技术。
IBM半导体研发副总Gary Patton表示：“IBM联盟成立至今已逾十年，联盟
伙伴可整合运用我们的专业知识，团队研究合作与创新的技术研发，借此满
足对先进半导体应用产品与日俱增的需求。联华电子的加入，将使联盟的实
力更加强大。”
联华电子执行长颜博文表示：“IBM为众所公认的半导体技术领导者。联华电
子十分高兴与IBM在先进制程领域携手合作，贡献我们多年来开发高竞争力制
造技术所累积的经验。身为世界顶尖的晶圆专工厂之一，联华电子肩负著适
时推出尖端制程，以实现客户次世代芯片设计的使命与承诺。我们期待与IBM
密切合作，借重其深厚的技术专业来缩短我们10奈米与FinFET 的研发周期，
为联华电子与我们的客户缔造双赢。”
联华电子与IBM两家公司此次的协议，拓展了双方于2012年签订之14奈米FinFET
合作协议。拥有IBM的支援与know-how，联华电子将可持续提升其内部自行研发
的14奈米FinFET技术，针对行动运算与通讯产品，提供富竞争力的低耗电优化技
术。双方计画开发10奈米制程基础技术，以满足联华电子客户的需求。联华电子
将指派工程团队加入位于美国纽约州阿尔巴尼(Albany, New York)的10奈米研发
计画，而联华电子14奈米FinFET与10奈米未来的制造，则将于联华电子位在台湾
南科的研发中心进行。