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http://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/7853868.shtml
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晶圆代工厂格罗方德（Globalfoundries）技术长苏比（Subi Kengeri）昨（24）日来
台，喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头，继14奈米XM明年量产，10奈米2015年推出，此
进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。
格罗方德2009年由美商超微独立而出，2010年并购前特许半导体，苏比表示，2009年
刚独立时，公司仅是全球第四大晶圆代工厂，但凭著超微在处理器技术的设计能力，加上
先前新加坡特许半导体在晶圆代工服务客户经验，IC Insights统计，2012年公司跃进晶圆
二哥，与台积电同列晶圆双雄。
公司企图不只于此，苏比看好行动装置电子产品内建芯片对晶圆先进制程的需求有高
度成长，2011年到2016年，40奈米以下先进制程的晶圆复合成长率有37%，到2016年产值将
占全球晶圆代工比重高达60%。
为了抢攻这波行动商机，格罗方德去年推出14奈米XM制程、2014年量产后，10奈米
2015年量产，两种制程都导入鳍式电晶体（Finfet）。
格罗方德的10奈米与14奈米XM都是所谓的混合制程，例如14 奈米就是采用20奈米的设
备与设计工具做出线宽14奈米的芯片，10奈米就是运用14奈米的设备与设计工具，制造线
宽约当10奈米的芯片。
相较于台积电不做14奈米制程，而是推出16奈米Finfet，苏比说明，公司之所以作14
奈米，因为英特尔不断进军行动市场，公司的客户感受到压力。
格罗方德预计20奈米下半年推出，与台积电几乎同步，公司12吋产能有德国德勒斯登
的晶圆一厂（Fab1）与纽约八厂（Fab8），各有4万片与6万片月产能，其中，Fab8将导入
28奈米以下最先进制程。