来源：
http://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/7583228.shtml
原文：
三星昨（21）日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效电晶体（FinFET）的14奈米测试
芯片，进度领先台积电，显示在苹果“去三星化”趋势已定下，三星力拼台积电的野心只
增不减。
韩联社报导，三星与安谋 （ARM）、益华（Cadence）、明导（Mentor）与新思（
Synopsis）共同合作，成功试产出旗下第1颗采用FinFET技术的14奈米测试芯片。
三星系统芯片部门主管表示，14奈米FinFET制程技术可提升电子装置效能并降低耗电
量，进一步改善行动环境，这也是IBM之后，第2家搭载安谋处理器架构，试产成功的14奈
米FinFET测试芯片。
晶圆代工行动装置芯片商机大，FinFET技术可以解决不断微缩的奈米芯片的漏电问题
。三星原本预计14奈米FinFET于2014年量产，与台积电规划的16奈米FinFET同步。随着三
星14奈米FinFET试产芯片推出，半导体业者认为，三星FinFET不排除提前半年量产。
台积电面临三星来势汹汹的竞争外，格罗方德9月也宣布推出以FinFET导入的14奈米元
件，预计2013年底进入客户试产阶段，2014年正式量产；联电则预计2014年试产。
台积电为了防堵竞争对手，预计使用安谋首款64位元处理器“v8”测试16奈米FinFET
制程，预计明年11月推出首款测试芯片，最快2014年量产。台积电南科14厂将作为第1个量
产16奈米FinFET基地，再下一个世代的10奈米FinFET制程，预计于2015年底推出。