[新闻] 三星领先台积 14奈米进化

楼主: kof70380 (小隆)   2012-12-22 08:09:48
来源:
http://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/7583228.shtml
原文:
三星昨(21)日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效电晶体(FinFET)的14奈米测试
芯片,进度领先台积电,显示在苹果“去三星化”趋势已定下,三星力拼台积电的野心只
增不减。
韩联社报导,三星与安谋 (ARM)、益华(Cadence)、明导(Mentor)与新思(
Synopsis)共同合作,成功试产出旗下第1颗采用FinFET技术的14奈米测试芯片。
三星系统芯片部门主管表示,14奈米FinFET制程技术可提升电子装置效能并降低耗电
量,进一步改善行动环境,这也是IBM之后,第2家搭载安谋处理器架构,试产成功的14奈
米FinFET测试芯片。
晶圆代工行动装置芯片商机大,FinFET技术可以解决不断微缩的奈米芯片的漏电问题
。三星原本预计14奈米FinFET于2014年量产,与台积电规划的16奈米FinFET同步。随着三
星14奈米FinFET试产芯片推出,半导体业者认为,三星FinFET不排除提前半年量产。
台积电面临三星来势汹汹的竞争外,格罗方德9月也宣布推出以FinFET导入的14奈米元
件,预计2013年底进入客户试产阶段,2014年正式量产;联电则预计2014年试产。
台积电为了防堵竞争对手,预计使用安谋首款64位元处理器“v8”测试16奈米FinFET
制程,预计明年11月推出首款测试芯片,最快2014年量产。台积电南科14厂将作为第1个量
产16奈米FinFET基地,再下一个世代的10奈米FinFET制程,预计于2015年底推出。
作者: b471520 (可可亚)   2012-02-22 08:43:00
量产再说
作者: jamesyu545   2012-02-22 08:49:00
奈米__
作者: limit9999 (JS)   2012-02-22 08:59:00
能用吗?
作者: llllllll5566   2012-02-22 09:07:00
不管能不能用先有新闻拿到面子再说
作者: wwwsky (正向思考)   2012-02-22 09:21:00
良率呢?
作者: ljsnonocat2 (平凡是幸福)   2012-02-22 09:26:00
不过谁先能量产 谁就是赢家 先抢到单再说
作者: neowfish (I AM MARY....)   2012-02-22 11:04:00
三星就算了 格罗方德28都搞不定了 整天在打嘴砲没事就出来吹一下牛 才能应付那些产油国的金主吗?
作者: flashgodie (花太香)   2012-02-22 11:14:00
完了 连台积也失守了 台湾完蛋了
作者: t1329kimo (Que Sera Sera)   2012-02-22 11:46:00
嘴砲而已 GG可以再放个10年心啦 然后就...
作者: aaagang (我...)   2012-02-22 11:53:00
再放10年
作者: holymars   2012-02-22 12:16:00
格罗方德.脑内晶圆厂
作者: dos1019 (.....)   2012-02-22 12:34:00
WPH多少啊...做出来一回事 成本一回事
作者: zhi5566 (协志 5566 最棒)   2012-02-22 12:37:00
格罗芳菊 后台最不缺的就是钱
作者: kenro   2012-02-22 12:41:00
那就尽量烧嘛 反正多的是
作者: allencloud (认真的人最美...)   2012-02-22 14:52:00
出货文..
作者: ann802   2012-02-22 16:59:00
韩国的制程听听就好,很多是号称xx奈米实际真的是吗?
作者: amin82 (三省吾身)   2012-02-22 18:01:00
也有可能是三星打嘴泡喔
作者: patato2 (㊣裁判杀手熊㊣)   2012-02-22 18:14:00
他的14nm其实....XD
作者: sanguinebox ( )   2012-02-22 20:38:00
GG在20nm赌错边,没走FinFET,结果intel开奖出来居然走FinFET
作者: sanguinebox ( )   2012-02-22 20:39:00
但头已经洗了一半,只好硬著头皮继续下去,FinFET只好改16nm世代再跟进
作者: sanguinebox ( )   2012-02-22 20:40:00
FinFET..GG实际上有点落或,谁输谁赢还有得拼
作者: sanguinebox ( )   2012-02-22 20:44:00
而且leakage一直是个宿疾,常常因为这东西被客户订到
作者: sanguinebox ( )   2012-02-22 20:46:00
希望GG加油,打爆三爽
作者: centra (ukyo)   2012-02-22 20:50:00
Samsung 是跟IBM授权的,ISDA玩FinFET本来就比台积早
作者: centra (ukyo)   2012-02-22 20:51:00
而且三星SADP技术比台积成熟
作者: centra (ukyo)   2012-02-22 20:53:00
不过试产成功跟量产可还有一大段距离就是
作者: fyb (good)   2012-02-22 21:23:00
20nm做不做FinFET其实只有成本技术考量而已 没有什么赌不赌
作者: fyb (good)   2012-02-22 21:24:00
28nm GG做得很成功 20nm纯粹制程微缩而已 当然容易多了
作者: fyb (good)   2012-02-22 21:26:00
做FinFET跟planar 一整个差异大 当然不可能贸然在20nm做
作者: fyb (good)   2012-02-22 21:27:00
Intel本来就是技术领头羊 可惜他的经营模式很难用在帮人代工上
作者: poswem (Big Boy)   2012-02-22 22:30:00
良率还没出来是要怎么抢单 = =
作者: pf775 (pf775)   2012-02-23 00:27:00
韩国不意外
作者: TIC05 (悠闲过生活)   2012-02-23 03:25:00
冲股价的新闻吗?
作者: osbsd1 (封棋-勿找)   2012-02-23 08:57:00
三星其实真的很厉害.. 是说16nm也只是号称就是了...
作者: jerrycheung   2012-02-24 15:49:00
1颗喔~
作者: shybaman (国王头)   2012-02-25 18:36:00
有点毫洨~因为三星目前连28奈米良率都很差,就要来16
作者: happysp1   2012-02-26 22:55:00
先把良率做出来再说吧..

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