来源：
http://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/7583228.shtml
原文：
三星昨（21）日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效电晶体（FinFET）的14奈米测试
芯片，进度领先台积电，显示在苹果“去三星化”趋势已定下，三星力拼台积电的野心只
增不减。
韩联社报导，三星与安谋 （ARM）、益华（Cadence）、明导（Mentor）与新思（
Synopsis）共同合作，成功试产出旗下第1颗采用FinFET技术的14奈米测试芯片。
三星系统芯片部门主管表示，14奈米FinFET制程技术可提升电子装置效能并降低耗电
量，进一步改善行动环境，这也是IBM之后，第2家搭载安谋处理器架构，试产成功的14奈
米FinFET测试芯片。
晶圆代工行动装置芯片商机大，FinFET技术可以解决不断微缩的奈米芯片的漏电问题
。三星原本预计14奈米FinFET于2014年量产，与台积电规划的16奈米FinFET同步。随着三
星14奈米FinFET试产芯片推出，半导体业者认为，三星FinFET不排除提前半年量产。
台积电面临三星来势汹汹的竞争外，格罗方德9月也宣布推出以FinFET导入的14奈米元
件，预计2013年底进入客户试产阶段，2014年正式量产；联电则预计2014年试产。
台积电为了防堵竞争对手，预计使用安谋首款64位元处理器“v8”测试16奈米FinFET
制程，预计明年11月推出首款测试芯片，最快2014年量产。台积电南科14厂将作为第1个量
产16奈米FinFET基地，再下一个世代的10奈米FinFET制程，预计于2015年底推出。
作者:
b471520 (可可亚)
2012-02-22 08:43:00量产再说
作者: llllllll5566 2012-02-22 09:07:00
不管能不能用先有新闻拿到面子再说
作者:
wwwsky (正向思考)
2012-02-22 09:21:00良率呢?
作者:
neowfish (I AM MARY....)
2012-02-22 11:04:00三星就算了 格罗方德28都搞不定了 整天在打嘴砲没事就出来吹一下牛 才能应付那些产油国的金主吗?
作者: flashgodie (花太香) 2012-02-22 11:14:00
完了 连台积也失守了 台湾完蛋了
作者: t1329kimo (Que Sera Sera) 2012-02-22 11:46:00
嘴砲而已 GG可以再放个10年心啦 然后就...
作者:
aaagang (我．．．)
2012-02-22 11:53:00再放10年
作者:
dos1019 (.....)
2012-02-22 12:34:00WPH多少啊...做出来一回事 成本一回事
作者:
zhi5566 (协志 5566 最棒)
2012-02-22 12:37:00格罗芳菊 后台最不缺的就是钱
作者: kenro 2012-02-22 12:41:00
那就尽量烧嘛 反正多的是
作者: allencloud (认真的人最美...) 2012-02-22 14:52:00
出货文..
作者: ann802 2012-02-22 16:59:00
韩国的制程听听就好,很多是号称xx奈米实际真的是吗?
作者: amin82 (三省吾身) 2012-02-22 18:01:00
也有可能是三星打嘴泡喔
作者:
patato2 (㊣裁判杀手熊㊣)
2012-02-22 18:14:00他的14nm其实....XD
作者: sanguinebox ( ) 2012-02-22 20:38:00
GG在20nm赌错边,没走FinFET,结果intel开奖出来居然走FinFET
作者: sanguinebox ( ) 2012-02-22 20:39:00
但头已经洗了一半,只好硬著头皮继续下去,FinFET只好改16nm世代再跟进
作者: sanguinebox ( ) 2012-02-22 20:40:00
FinFET..GG实际上有点落或,谁输谁赢还有得拼
作者: sanguinebox ( ) 2012-02-22 20:44:00
而且leakage一直是个宿疾,常常因为这东西被客户订到
作者: sanguinebox ( ) 2012-02-22 20:46:00
希望GG加油,打爆三爽
作者: centra (ukyo) 2012-02-22 20:50:00
Samsung 是跟IBM授权的，ISDA玩FinFET本来就比台积早
作者: centra (ukyo) 2012-02-22 20:51:00
而且三星SADP技术比台积成熟
作者: centra (ukyo) 2012-02-22 20:53:00
不过试产成功跟量产可还有一大段距离就是
作者: fyb (good) 2012-02-22 21:23:00
20nm做不做FinFET其实只有成本技术考量而已 没有什么赌不赌
作者: fyb (good) 2012-02-22 21:24:00
28nm GG做得很成功 20nm纯粹制程微缩而已 当然容易多了
作者: fyb (good) 2012-02-22 21:26:00
做FinFET跟planar 一整个差异大 当然不可能贸然在20nm做
作者: fyb (good) 2012-02-22 21:27:00
Intel本来就是技术领头羊 可惜他的经营模式很难用在帮人代工上
作者:
poswem (Big Boy)
2012-02-22 22:30:00良率还没出来是要怎么抢单 = =
作者:
pf775 (pf775)
2012-02-23 00:27:00韩国不意外
作者:
TIC05 (悠闲过生活)
2012-02-23 03:25:00冲股价的新闻吗？
作者:
osbsd1 (封棋-勿找)
2012-02-23 08:57:00三星其实真的很厉害.. 是说16nm也只是号称就是了...
作者: jerrycheung 2012-02-24 15:49:00
1颗喔~
有点毫洨~因为三星目前连28奈米良率都很差，就要来16
作者: happysp1 2012-02-26 22:55:00
先把良率做出来再说吧..