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〈力积电法说〉DRAM涨价效应11月起显现 动能估延续至明年上半年
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发布时间：
2025-10-21 16:08
记者署名：
钜亨网记者魏志豪
原文内容：
晶圆代工厂力积电 (6770-TW) 今 (21) 日召开法说会，总经理朱宪国表示，利基型
DRAM 因产能排挤效应影响，价格持续上涨，预期第四季投片量与价格都会上升，涨价的
效应将自 11 月起开始反映，内存动能可望将一路延续至明年上半年，有助获利状况改
善。
力积电预估，第四季产能利用率约与第三季持平，其中内存维持满载、逻辑相对偏弱。
随内存价格反映效益发酵、先进封装布局成形，第四季获利可望持续改善，并逐季朝正
向发展。
以内存跟逻辑市场来看，朱宪国说，随着 AI 带动 HBM 等高阶内存需求爆发，利基
型 DRAM 因大厂将产能转往 HBM 而受排挤，价格持续上涨；SLC NAND 因三星与 SK 海力
士减产，第三季也看到价格谷底翻扬；NOR Flash 受惠 AIoT 应用需求推升，也有涨价迹
象。
力积电感受到整体内存客户投片意愿转趋积极，预期第四季量价齐扬，热度可望延续
至 2026 年上半年，而公司为内存代工业者，相较市价反应较落后，预计将自 11 月起
开始反映涨价，且在供需持续紧张下，仍看好价格上涨。
逻辑制程部分，中国十一长假后消费性电子需求平淡，双 11 备货潮不如以往，个大品牌
业者也普遍保守看待，此外，欧美车厂稼动率仅约 55%，力积电坦言，年终消费旺季面临
挑战，预期第四季稼动率大致维持上季。
先进封装布局方面，力积电第三季 3D AI Foundry 产品线营收比重约 2%。力积电说，
Wafer stacking(晶圆堆叠) 已进入客户验证阶段，预计明年下半年量产；中介层
(Interposer) 已有多家客户完成设计定案 (tape-out)，并达量产水准，将扩大产能满足
客户需求。
力积电也持续强化电源管理 IC 与功率元件，预期 PMIC、MOS、GaN 等相关产品将是为未
来营运重点之一，针对与 Navitas 的合作，则表示双方合作已逾三年，随着台积电
(2330-TW)(TSM-US) 退出 GaN 市场，客户也将其 6 吋产品转单至力积电。
心得/评论：
相信黄董! 不用到年底了 11月开始反映了!
难怪今天拉尾盘 NV的黄董不香了， 现在流行力gg 黄董