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长鑫存储报捷传量产DDR5 追赶三星、SK海力士速度加快
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发布时间：
2024/12/22 01:18:11
记者署名：
经济日报 记者林宸谊／综合报导
原文内容：
外传大陆动态随机存取内存（DRAM）芯片大厂长鑫存储（CXMT）成功量产DDR5内存晶
片，良率达80%左右。已有多家厂商开始销售采用其DDR5芯片的DRAM模组，这似乎代表长
鑫存储追赶龙头DRAM厂商的速度正在加快。
韩国科技媒体《ZDNet Korea》报导，目前只有三星、SK海力士、美光等少数DRAM厂商能
够生产DDR5芯片。
一位半导体行业相关人士表示，“长鑫存储最近已经开始生产DDR5，正在与客户接洽，所
公布的良品率在80%左右。”考虑到韩国企业的良率达到80%到90%，这代表长鑫存储量产
制程技术也提升到不错水准。
报导称，大陆金百达（King Bank）、光威（Gloway）等模组品牌厂商，已开始透过线上
电子商务平台，销售标注为“国产DDR5”的32GB DDR5 DRAM模组，虽然并未说明DRR5芯片
的来源，但业界认为这些产品的DDR5芯片是由长鑫存储生产。
科技研究公司TechInsights高级技术研究员崔正东（Jeongdong Choi）表示，虽然长鑫存
储尚未正式向外界透露开发DDR5的计画，但DDR5的开发是使用G3制程（线宽 17.5 奈米）
进行。“DDR4已经作为 G1（22奈米） 商业化，LPDDR4X 正在基于G1和G3 生产。”
长鑫存储曾于2023年11月28日在官网宣布，推出LPDDR5系列DRAM产品，正式进军移动终端
市场，并成功完成了与小米、传音等大陆国产手机品牌机型的上机验证。
《朝鲜日报》报导，虽然大陆花了六年，才赶上韩国生产DDR4的技术水平，但长鑫存储转
型至DDR5的时间却仅落后韩国四年。这凸显大陆内存技术的快速进展，势必会对三星、
SK海力士构成严重威胁，尤其是在大陆市场。
专家认为，长鑫存储DDR5的效能依旧落后三星、SK海力士。韩国业者运用极紫外光（EUV
）微影技术来蚀刻更精细的电路，能降低耗电、提高储存容量。
相较之下，受到美国出口禁令箝制，大陆企业无法购得EUV设备，只能仰赖较为老旧的仪
器。一名业界内部人表示，长鑫存储生产DDR5的设备，应该较老旧，至今还无法大规模量
产。
心得/评论：
长鑫存储传DDR5报捷，良率达80%左右，已有多家厂商开始销售采用
其DDR5芯片的DRAM模组。
不过受到美国禁令影响，陆企无法购得EUV设备，目前应该尚未无法大规模量产
所以短期应该还不会有DDR5降价竞争的可能?
南亚科是不是又快要没呼吸了