原文标题：台积论坛 N3E祕密武器上场
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发布时间：2024.05.20 . 张珈睿／台北
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记者署名：2024.05.20 . 张珈睿／台北
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原文内容：
23日新竹展开 导入FinFLEX的3奈米节点制程，成苹果M4芯片幕后大功臣
继台积电发表A16技术后，台积电技术论坛台湾场次将于23日在新竹盛大登场。半导体业者
指出，受惠苹果推出M4搭载AI神经网络芯片，幕后大功臣就是由台积电引入FinFLEX技术的3
奈米次世代工艺所打造，预料该秘密武器将在本次会议中，再次吸引外界高度瞩目。
外资今年大买台积电40.87万张，市值站稳21兆大关，占台股市值比重逾32％，本益比21.7
倍，为AI龙头族群中本益比偏低标的。
苹果M4芯片是目前台积电3奈米节点制程的代表作，凸显台积电在先进制程上的领先地位；
相比台积电3奈米家族之N3B，N3E制程通过简化流程和放宽部分参数，提高良率和产能，是
台积电5奈米跨向3奈米的重要一步。
虽然N3E电晶体密度未如N3B大幅提升，但引入FinFLEX技术，达到平衡性能和功耗的要求，
同样提供M4芯片出色效能。
业界表示，台积电利用FinFLEX技术让芯片设计人员可在一个模组内混搭不同类型的标准单
元，并针对客户需求，最佳化效能、功耗、面积（PPA）配置。
业者强调，这样应用可直接对接当下需要大量核心CPU和GPU的客制化需求；台积电同时也于
技术论坛提出下世代NanoFlex技术，将透过调整标准元件高度，设计客户所需要的面积功耗
及效能，更被台积电自许为伟大创新，预计将在2奈米市场继续领先。
台积电也透露，2奈米制程技术在解决对节能运算永无止境的需求方面领先业界，几乎所有
的AI创新者都正在与台积电合作。
根据台积电公开数据，N3E在SRAM层面大致与5奈米同一水准；不过逻辑电路密度更高，但也
低于N3B。据业内人士透露，N3B相较N5的缩放大约是0.88倍左右，而N3E只有0.94倍左右。
未来在3奈米家族，台积电也持续推出N3P、N3X等制程，进一步优化3奈米节点上的性能；另
外2奈米台积电也推出继Nanosheet之后的NanoFlex，预估将于技术论坛中被大量提及，同样
透过在相同的设计区块中优化高低元件组合，调整设计进而在应用的功耗、效能及面积之间
取得最佳平衡。
心得/评论：
用台积电N3B的M3跟 A17pro
都没有这次M4 测出来大获好评～～
明明N3B的电晶体密度就比较高。原来N3E的E是flex的E
有用上大招！
无法上传图片 自己进台积电里面看看
https://www.tsmc.com/chinese/news-events/blog-article-20220616
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