原文标题：
爆料：三星 3 奈米良率翻三倍，PPA 有望赶上台积电 N3P
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https://technews.tw/2024/03/22/samsungs-3nm-yield-related-news/
发布时间：
2024 年 03 月 22 日 16:05
记者署名：
※原文无记载者得留空
原文内容：
市场传出，三星电子（Samsung Electronics Co.）3 奈米良率大幅拉高，整体表现有机
会追上台积电。
知名爆料人Revegnus 22日透过社交平台X指出，三星3奈米良率一开始虽只有10%~20%，但
最近拉升至三倍以上。
虽然良率依旧低于使用现有“鳍式场效”（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）制
程的台积电，但三星对第二代3奈米制程期望甚高，据传看好效能、功耗及面积（
Performance、Power、Area，PPA）前景（有谣言暗示可赶上台积电N3P）。
Revegnus表示，消息人士透露，三星3奈米制程的能源效率（power efficiency）、逻辑
区域（logic area）都比4奈米FinFET改善20%~30%。
韩国媒体TheElec报导，三星共同执行长庆桂显（Kyung Kye-hyun）20日在年度股东大会
预测，今年半导体营收有望重返2022年衰退前水准。
庆桂显指出，内存事业1月转亏为盈，今年恢复元气，除了高频宽内存（HBM），开放
性高速互连通讯协议CXL（Compute Express Link）、内存处理器（Processor In
Memory，PIM）也与客户接洽，结果很快就能出炉。
三星晶圆代工事业总裁崔时荣（Siyoung Choi）同场合表示，虽然英特尔（Intel Corp.
）谈论1.4奈米制程，但三星及台积电都有制程规划。他说，客户要的是稳定供应、产品
具竞争力的晶圆代工商，三星4奈米良率已成熟。
崔时荣并表示，第二代3奈米制程下半年投产，2奈米投产时间是明年。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：三星电子）
心得/评论：
三星3奈米良率一开始只有10%~20%，但最近拉升至三倍以上
直追台积电。
短时间内三星良率大幅提升，太玄了，比玄天上帝还玄
这样台积电还有搞头吗？