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美光推第二代HBM3内存 下单台积电
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发布时间：
2023.07.27
记者署名：
工商时报 陈颖芃
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在各家业者抢攻AI市场之际，美光也不落人后，近日推出第二代HBM3 DRAM内存，不仅内存容量更大且运算速度更快，可望满足大规模语言模型（LLM）的运算需求。
业界人士透露，因应人工智能及生成式AI趋势，美光将在台投入HBM3 Gen2先进封装研发及制造，已积极与台积电密切合作，未来将在台加速量产并交货给客户NVIDIA。
美光表示第二代HBM3 DRAM内存的样品已在近日出货给少数客户。研究机构TIRIAS Research估计若客户端测试顺利，内建美光第二代HBM3 DRAM内存的CPU及GPU最快将在今年底或明年初问世。
回顾2013年美光首度推出HBM内存至今已过10年，这段期间云端市场快速起飞，不断提高资料中心的运算需求。生成式AI问世以来，大规模语言模型的运算需求快速扩大，逐渐超越内存升级速度。
美光虽然落后其他同业1年左右才推出HBM3 DRAM内存，但这次可望靠第二代产品扳回一城。第二代HBM3 DRAM内存不仅容量扩大50％，性能也是上一代的2.5倍，运算速度也提升50％，有助缩短大规模语言模型的训练时间。
美光上一代HBM3 DRAM内存已经广泛应用在众家芯片产品，包括超微、英特尔的CPU芯片，以及超微、英特尔、辉达的GPU芯片。超微针对AI市场最新推出的MI300X GPU芯片就是采用美光上一代HBM3 DRAM内存。
心得/评论：
MU在HBM3起跑点被甩掉几百条街，昨天发布了gen2产品并在官方新闻稿中强调了与TSMC的合作。是否真能如预期在CY23/E被采用量产，就看接下来韩厂会如何出招了。