原文标题：台积电致股东报告书：2奈米座落竹科、中科 扩展未来技术领先
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发布时间：2023/05/05 16:27:32
记者署名：经济日报 记者尹慧中/台北即时报导
原文内容：
台积电（2330）致股东营业报告书今（5）日上传，台积电董事长刘德音、总裁魏哲家在
致股东的营业报告书中回顾过去台积电过去一年发展，并提及台积电技术发展，正为预计
于民国一百一十四年开始量产的2奈米技术（N2）做准备，该制程技术将座落于新竹和台
中科学园区，N2将进一步扩展我们未来的技术领先地位。
提升节能运算需求与技术优势
技术发展方面，台积电致股东营业报告书说，我们的2奈米技术将采用奈米片（Nanosheet
）电晶体结构，并提供全制程效能和功耗效率的效益，相较于 N3E，N2 在相同功耗下速
度增快 10%-15%，或在相同速度下功耗降低 25%-30%，以满足日益增加的节能运算需求；
N2将为我们的客户提供最佳的效能、成本，和技术成熟度，并将进一步扩展我们未来的技
术领先地位。
台积电致股东营业报告书说，随着3奈米技术在民国一百一十一年迈入量产，并且在 PPA
（效能、功耗及面积）及电晶体技术上都是最先进的半导体技术，台积公司持续扩大我们
的技术领先。我们正在为下一世代的技术奠定坚实基础，N2 技术的研发依计画进行中，
预计于民国一百一十三年试产，并于民国一百一十四年量产。我们的2奈米技术推出时，
在密度和能源效率上都将是业界最先进的半导体技术。
台积电致股东营业报告书也提到，民国一百一十一年，台积公司持续提升研发费用至54亿
7,000万美元，以扩大我们的技术领先和差异化优势。我们亦与客户密切合作，协助全球
的创新者释放创新，为半导体产业创造更大价值。
将 N3 家族设定为未来制程技术主力
台积电致股东营业报告书提到， 5奈米家族技术已迈入量产的第三年，为台积公司营收贡
献26%，我们持续强化 N5 家族的效能、功耗和密度，N4 已于民国一百一十一年开始量产
，且我们也为支援下一波的 5 奈米产品，推出了 N4P 和 N4X 制程技术。N4P 制程技术
研发进展顺利，预计于民国一百一十二年量产；N4X 是台积公司第一个专注于高效能运算
（HPC）、高工作负载的技术，预计于民国一百一十二年进行客户产品设计定案。
继 N3 技术于民国一百一十一年进入量产，具备更好的性能、功耗和良率的N3E 将进一步
扩充我们的 N3 家族。N3E 预计于民国一百一十二年下半年量产。我们的 N3 和 N3E 客
户参与度非常高，量产第一年和第二年的产品设计定案数量将是 N5 的两倍以上。我们预
期 N3 家族将成为台积公司另一个大规模且有长期需求的制程技术。
突破技术极限 成功迈入量产
台积电致股东营业报告书也说，随着台积公司不断突破电晶体微缩的极限，也在不断扩展
台积公司3DFabric设计解决方案，以提升系统级效能至新境界。台积公司3DFabric结合了
晶圆级 3D 和先进封装技术，在我们的 3D 技术方面，系统整合芯片（TSMC-SoIC）芯片
堆叠于晶圆之上（Chip on Wafer, CoW）技术成功于民国一百一十一年迈入量产，透过将
静态随机存取内存（SRAM）堆叠于逻辑晶圆上展现显著的效能优化；系统整合芯片（
TSMC-SoIC）晶圆堆叠于晶圆之上（Wafer on Wafer, WoW）技术则透过在深沟槽电容晶圆
上堆叠 7 奈米逻辑晶圆，为民国一百一十一年的高效能运算（HPC）产品展现了卓越的系
统效能强化。在我们的先进封装技术方面，CoWoS®-S技术整合了多个系统单芯片（SoC）
、高频宽内存（HBM）堆叠和三倍光罩尺寸的硅基板，成功于民国一百一十一年量产以
支援客户的高效能运算（HPC）产品；在整合型扇出（InFO）先进封装技术方面，整合了
多个系统单芯片（SoC）和两倍光罩尺寸扇出封装的台积公司整合型扇出暨基板封装技术
（InFO-oS），亦成功迈入量产。
为了支援客户释放创新、让产品迅速上市，台积公司提供了所需的完备基础架构，为客户
优化设计效率和周期时间。台积公司持续拓展我们的开放创新平台（Open Innovation
Platform, OIP），于民国一百一十一年提供了超过5万5,000个数据库与硅智财组合，并
提供从0.5微米至3奈米超过4万3,000个技术档案及超过2,900个制程设计套件。
心得/评论：
Key note:
(1) N2 预计时程：民国113年试产，民国114年量产
(2) N2 site：竹科 and 中科
(3) N5 贡献营收约26%
(4) N4P、N3E 预计时程：民国112年量产
(5) 预计 N3、N3E 量产前2年的产品设计定案数量为 N5 的2倍
台积电值得信赖的致股东报告书
新闻没特别提到的海外布局说明包含
(1) 美国，2座FAB，N4、N3
(2) 日本，1座12"特殊制程FAB