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全球NAND快闪资本支出达299亿美元 2022年估成长8%
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发布时间：
2022/3/18
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2022 年NAND快闪资本支出预计将达到299亿美元，创下新高。
随着 NAND 供应商准备参加 200 层设备的竞争，支出也在增长。
IC Insights 对半导体行业的资本支出预测报告，预测今年(2022) NAND快闪资本支出将增长 8% 至 299 亿美元，超过 2018 年 278 亿美元的历史最高记录（图 1）。快闪资本支出在 2017 年飙升，当时该行业向 3D NAND 转型，此后每年都超过 200 亿美元。2022 年，快闪资本支出预计将增至 299 亿美元，因为大型供应商和小型供应商又将保持适度激进的支出水平。
NAND快闪资本支出299 亿美元约占 2022 年整个 IC 行业资本支出预测 1904 亿美元的 16%，仅落后于晶圆代工部门，该部门预计将占今年行业资本支出的 41%。
新的和最近升级的 NAND快闪工厂包括三星的 Pyeongtaek Lines 1 和 2（也用于 DRAM 和代工）；三星在中国西安的二期投资；铠侠在日本岩手的 Fab 6 (Flash Ventures) 和 Fab K1；和美光在新加坡的第三家闪存工厂。此外，SK 海力士为其 M15 工厂的剩余空间配备了 NAND 快闪。
在预测期内，随着 NAND 闪存供应商准备从 2022 年底到 2023 年进入 200 层以上设备的竞争，将需要新的晶圆厂和新设备：
三星和美光可能是第一个开始量产的公司今年晚些时候的 200 层设备。两家公司以及 SK 海力士目前都在量产 176 层 NAND。
三星位于中国西安的晶圆厂是（并将成为）领先 NAND 的关键制造地点，拥有两个晶圆厂，每个晶圆厂全面投产后每月可生产 120,000 片晶圆。
随着对企业存储应用的日益关注，SK 海力士预计将在 2023 年迁移到 196 层。
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预估全球IC产业，支出最高的为晶圆代工，第二则为NAND快闪产业，三星、美光及SK Hynix或将扩厂/增加设备。