原文标题：IBM携手三星 半导体设计重大突破
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发布时间：2022/01/03 14:22
原文内容：
IBM和三星电子联合宣布利用新型垂直电晶体管架构的半导体设计突破，该架构展示一种
超越奈米片的扩展路径，与按比例缩放的鳍式场效电晶体（finFET）相比，可能减少85%
能源使用量。
降低85%耗能 突破1奈米瓶颈限制
全球半导体短缺凸显芯片研发投资的关键作用，以及芯片在从应用计算、电器、通信设备
、交通系统和关键基础设施等各个方面的重要性。IBM和三星在纽约州的奥尔巴尼奈米技
术综合中心进行半导体创新研发，在科学家与公共和私营部门合作下，突破半导体能力的
界限。这种创新方法有助满足制造需求，并加速全球芯片业的发展。
目前的处理器和单芯片，是将电晶体平放在硅表面上，然后电流从一侧流向另一侧。然而
，三星与IBM宣称研发出垂直传输场效应电晶体（VTFET），是透过彼此垂直堆叠之下，让
电流垂直流动来达成。
VTFET设计有两项特色。首先，可以绕过许多性能限制，将摩尔定律扩展到1奈米瓶颈之外
物理限制。其次是，由于电流更大，该设计减少能源浪费。根据这两家公司的估计，VTFE
T将使处理器的速度比采用FinFET电晶体设计的芯片快了2倍，且功耗降低85%。
采用这种电晶体设计的芯片未来可能让手机一次充电下，可以使用一周时间；还可以使某
些需要能源密集型的任务如加密采矿变得更加节能。
心得/评论：
三星跟IBM，还跟intel联手合作
已经打造出新一代的完全不同规格
台积还能吃老本吃多久让我们继续看下去