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三星决心GAA抢先台积电推出 但良率是利润关键
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发布时间：
2021年9月1日
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原文内容：
三星电子（Samsung Electronics）设备解决方案（Device Solution）业务技术长
Jeong Eun-seung 宣布，作为下世代半导体制程的核心，将提前实现 GAA（Gate all
around）技术商业化。三星电子计划从明年 (2022) 开始将 GAA 应用于 3 奈米制程；台
积电预计 2023 年于 2 奈米采用 GAA 技术。
Jeong Eun-seung 在 2021 年 8 月 25 日三星技术暨事业论坛（Samsung Tech &
Career Forum）上发表主题演讲时表示，三星目前 GAA 技术领先主要竞争对手台积电，
若能确保技术将有助于推动三星代工业务成长。但是，三星晶圆代工难超越台积电，目前
台积电晶圆代工市场占有率 53.9%、三星仅 17.4%。
然而，从 GAA 专利技术开发来看，2011 年至 2020 年间，全球 GAA 专利有 31.4% 来自
台积电，三星电子则占 20.6%，IBM（10.2%）和 GlobalFoundries（5.5%）。
GAA 被视为 3 奈米制程的关键，未来将被全球半导体代工公司所采用。技术的关键是将
在半导体内部充当“电流开关”的电晶体的结构从 3D（FinFET）改为 4D（GAA）。三星
电子称，在 2019 年曾与客户进行 3 奈米 GAA 制程设计工具测试显示，GAA 技术将芯片
面积减少了 45%，并将能源效率提高了 50%。
虽然，三星电子决心要赶在台积电前，将新一代 3 奈米 GAA 制程技术商业化。然而，晶
圆代工良率才是企业利润的关键。根据韩媒报导 (2021.7.4)，三星电子在华城园区厂最
先进的 V1 线，仍存在良率难解问题，5 奈米产品的良率仍低于 50%。这可能与日本化学
辅料有关，由于日本对韩国实施半导体三项关键原料管制，造成三星在先进奈米制程的良
率无法提升。
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三星为抢夺代工市场，积极开发GAA技术，誓言抢在对手台积电前将技术商业化，推出3奈
米产品。