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zxcvxx (zxcvxx)
2021-08-06 11:18:07原文标题：
长江存储推出128层3D NAND快闪存储器
(请勿删减原文标题)
原文连结：
https://bit.ly/3jvzNrI
(请善用缩网址工具)
发布时间：
2021年8月5日
(请以原文网页/报纸之发布时间为准)
原文内容：
2020年4月13日，长江存储（YMTC）宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号： X2-6070）研
发成功，可用于固态硬盘，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070单颗容量达1.33Tb，最高I/O传输速
度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。同时发布128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存晶
片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。
长江存储表示，得益于Xtacking，在长江存储128层系列产品中，Xtacking 在I/O读写性
能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒
）的数据传输速率。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造技术，CMOS电路可选用
更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下。
X2-6070方面。QLC是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度
等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆叠，共有超
过3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（
bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。
韩国内存制造商三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）分别在
2019年8月和2020年第二季开始相同产品的生产。
据韩媒报导，在长江存储成功量产128层产品后，韩国和中国内存制造技术的差距从3-4
年被缩小到了1-2年。不过，X2-6070大规模量产及稳定性还有待确认，加上中国本地的需
求仍然有限。
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中国内存制造商推出128层NAND产品，传出已成功量产，与韩国制造商的技术差距也被
缩小。