※ 引述《minazukimaya (水无月真夜)》之铭言：
: 1. 标题：
: Intel Accelerated
: 2. 来源：
: Intel官网
: 3. 网址：
: https://www.intel.com/content/www/us/en/events/accelerated.html
: 4. 内文：
: Intel释出至2025的制程及先进封装路线图
: 以下几点个人分析
: 1. Intel的战略目标是要抢占三星的生态位
: 这段期间大部份的分析师都是着重在讨论tsmc和Intel之间的代工议题
: 但公开表态往往是为了隐藏一些真实的意图
: 从Intel近期的各种操作来看，表面上是要追赶tsmc重新取得技术领导权
: 实际上目标应该是要挤占三星foundry的地位
: 像是重新命名node和Pat投书POLITICO这种“纯粹的公关表演”
: 其背后的意图都是在打击三星的代工生意
: 2. 新的命名掩盖了技术规格的变更
: Intel现在不谈密度，改谈Perf/Watt了
: 其实是也算合理，毕竟密度不是一个很好的量尺
: 7->4 20% 4->3 18%
: 从这两个数字看起来，相比原本的7nm/7nm+ (对应到新的4/3)
: 调降了4的技术规格，以便能在2022年顺利推出
: 相对来说3在不作整体scaling的情况下要达到18%的Perf/Watt改进
: 能不能在2023推出有点微妙
: 但总体来说是比原本那个规格现实一点，至少是有机会达成的RoadMap
: 当然Intel也学坏了，在node命名上有稍微偷吃步的嫌疑
: 新的4大概和tsmc的N5P差不多，新的3大概会比N3差一点
: 但公允来说，差距并不大
: 比起三星的4LPE(改名后的5LPA) 实际上还不如N5好多了..
: 总而言之，Intel 重新命名后对于同一个数字的node
: Perf/Watt大致上会是tsmc > Intel > Samsung
: 当然再次强调差距并不大
: 3. 20A的时程是2024年 (!?)
: 老实说这是超级激进的时程
: 而且用词上有种拿risk production来宣传的嫌疑
: 当然Intel公关部门有绩效压力
: 但这该不会是三星那种“默认就是要delay”的Roadmap吧...
: 没有公布Perf/Watt的改进
: 不过不太可能达到IBM 2nm的那个规格
: 我猜最后大概也是略差tsmc的2nm一点
: RoadMap符合Intel说的“要在2024年追上”
: 目前的投影片上看起来是有追上
: 我个人是觉得20A和18A的进度太乐观了，即使有IBM和ASML帮忙
: 4. 先进封装的进度让人失望
: 因为Pat刚上任的演说对于先进封装的进度十分满意
: 我一度以为Intel有藏招
: 不过目前看起来2023年Foveros Direct的规格
: 还不如AMD今年就要用的TSMC-SoIC (AMD用在VCache上)
: 从AMD的路线图来看，把L3叠在运算核心上是个方向
: SRAM die分开制造有很好的成本效益
: 例如说逻辑运算用2nm GAA制程、SRAM用3nm的高密度制程
: Intel受限于封装技术的进度，可能会晚一代才导入这样的设计
: (而且..我感觉Intel那个PowerVia最后会在封装上搞到自己)
: Fab-lite的经营模式下设计部门要配合制造部门的脚步
: 无法放开手脚去设计，会是个长期隐忧
: 所以AMD最后还是痛定思痛把GF放生了XD
: 5. Intel到底是下什么东西到tsmc的N3？
: 如果真的是MTL/GNR要下到N3，同时也会用I4作
: 可能是高阶用N3，低阶先I4，等2023年I3量产再把高阶拉回家作...?
: 这种产品策略在公关上会是重伤，高阶先外包不知道要怎么圆回来
: 当然也有可能是某种还没公布的HPC产品(GPU/DPU或MobileEye)下在N3
: 最后一种可能，就是Intel下N3是芭乐传言
: 不过有好几个消息来源都提到这件事，感觉不是假的
: 6. 题外话，关于政治风向
: 美国政府的立场和Intel的立场显然有差异
: 不然也不需要法案过了之后再用投书来作公关表态
: 投书只是放话，真正实质的利益都是要lobbyist乔的
: 这也蛮合理的，美国政府要考虑的棋局比Intel的复杂多了
: 不可能只顾及Intel的商业利益
: 从产业现实面来看，电子消费品的产业链不是只有半导体一个关键环节
: 有很多东西根本不可能在美国作的
: 最终就像Morris说的，可能会浪费了许多时间金钱人力之后
: 还是达不到一个自给自足的结果
: 电子科技业是以“硅谷作为大脑、日韩台作为心脏”这样的形式存在的
: 当心脏曝露在危险中，合理的选择是穿件防弹衣，不是动心脏移殖手术
: 我感觉美国政府终究还是会认清现实
: 另外李在镕的特赦案，以及韩国明年大选的结果
: 可能都会牵动整个半导体产业的竞合赛局..
Intel 10nm
现有产品
Intel 7
强化10nm 基本上就是垫档
Intel 4
更小的FinFET 引入EUV
相当于TSMC的5nm
以时程上来讲 基本上是追不上TSMC
但对Intel来说很重要
如果能照时程发表 代表还看得到车尾灯
Intel 3 EUV+
垫档用
Intel 20A power via 和 GAA
Intel全部赌注都在这个node
因为TSMC 要到N2才会引入
完全换架构 大家都重新站在起跑点上
传统上power supply基本上要经过15-20层的金属导线 才能传到元件本身
在微缩成30nm一下
via/contact resistance通常都很惊人的高
大部分损耗其实都在这些线上
有效电压传到底层元件 通常都不足0.8V
gate没办法很好控制通道 所以短通道效应会很严重
所以解法就是两种
1. 更好gate control的元件
Planar MOSFET -> FinFET -> GAA
2. 减少寄生电容电阻
把power line移到背面
所以可以同时用两面把电力传进去
减少电阻 同时还可以用更宽的线宽
未知数就是散热
总结来说 intel 说3-5年才能追上基本上就是反映新的road map
放推FinFET只要跟上就好
赌20A重返荣耀
新的roadmap就是学其他公司
以intel以前到个性 绝对是不会摆出那些垫档node
现在他们学乖了 至少有些比较简单的node 让大家觉得公司有在进步