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发展第三代半导体产业，英国正建立GaN无晶圆设计与晶圆代工产业
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http://bit.ly/2ZHFFEP
发布时间：
2021年2月22日
原文内容：
英国政府的英国研发和创新机构于2021年2月初宣布，将支持化合物半导体中心（CSC）和
Newport晶圆厂（NWF）开发8吋氮化镓（GaN）HEMT代工制程专案，期望能够在8吋晶圆平
台上提供代工等级的650V硅基氮化镓高电子迁移率电晶体(GaN-on-Si HEMT)制程。
CSC认为GaN最初的目标市场是在电动车市场，例如：电动车马达逆变器（traction
inverters）；未来随着技术不断进步，其希望提供客制化代工产品，以解决包括行动/可
携式电脑之快速充电器和能源储存逆变器。
CSC中心成立于2015年，是卡迪夫大学和IQE plc的合资企业。 NWF一直希望其成为硅复合
材料主要制造商，预计这一8吋晶圆的生产目标是每周8,000片晶圆起跳，之后扩大到
14,000片产能。
英国除了建立GaN晶圆代工产业之外，也有无晶圆半导体公司正投入该领域。由英国剑桥
大学分割出来的Cambridge GaN Devices（CGD）公司，于2021年2月18日宣布获得950万美
元（约780万欧元）的A轮融资。这一笔资金将可用来扩大其具节能效率之功率设备的产品
组合，并将其团队规模扩大一倍之多。
CGD是由Florin Udrea教授和Giorgia Longobardi博士于2016年创立的无晶圆厂半导体新
创公司。其主要是以开发功率器件中的技术。它的核心业务是使用最节能的材料GaN设计
、开发和商业化功率电晶体和积体电路，也就是说，除了改善性能与降低成本之外，也期
望达到减少排放的目标。 此外，该公司目前正在带领一个由欧洲资助的1000万美元（约
820万欧元）专案– GaNext。该专案与欧洲的13个工业和学术单位进行合作。其目标是设
计和开发出适用于低功率和高功率应用的下一代GaN功率模组，且这一模组具备高效能、
高紧密度特性。
根据Fortune Business Insights研究，2027年GaN器件市场规模达到284亿美元。CGD则是
认为功率器件市场的价值超过300亿美元（约248亿欧元），如果CGD能够研发出节能的GaN
器件，其就具有很大优势抢占很大的占有率。目前CGD正在开发一系列GaN电晶体，这些
GaN电晶体是针对诸如消费和工业开关模式电源（SMPS）、照明、数据中心和混合动力 /
电动车等市场的关键应用。
除最近的一轮融资外，CGD已经获得了来自于iUK，BEIS和欧洲资助的GaNext专案等四个专
案的资金，这也说明其未来积极抢占GaN器件的优势。
心得/评论：
英国政府的研发机构将和晶圆厂合作发展GaN产品，希望能打入电动车市场，英国GaN半导
体设计公司最近也获得A轮融资。