GaN半导体装置市场到2027年将达到58.5亿美元、成长率19.8%
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基于摩尔定律即将走到极限，各家半导体业者正寻求第三代半导体开发。所谓第三代半导
体系指材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）及硒化锌等宽带半导体为主，有别于第一代
的硅（Si）、第二代的砷化镓（GaAs）之半导体材料。
根据市场研究机构Grand View Research进行的一项氮化镓(GaN)半导体装置市场研究，预
测到2027年，全球 GaN半导体装置市场规模预计将达到58.5亿美元，从2020年到2027年，
复合年增长率为19.8％。市场增长原因，因氮化镓（GaN）技术进步及在各种半导体装置
产品应用呈现增长态势，例如：5G无线通信设备的需求（主要在国防通信领域、E类，F类
和C类功率放大器）推动需求的成长。
航太和国防技术公司，例如：
L3Harris Technologies Inc .；Northrop Grumman公司；BAE Systems正在与政府机构合
作，将氮化镓半导体用于军事电子战（EW）系统和AESA雷达应用。
2012年2月，Northrop Grumman公司设立了先进技术实验室，以开发用于关键军事项目的
氮化镓半导体。该公司与美国政府已投资超过3亿美元，用于在军事系统中开发和集成GaN
半导体，以增强太空，飞机和地面防御通信系统的功能。
恩智浦宣布在美国建厂所要生产5G用芯片，材料也是氮化镓。
Transphorm公司（硅芯片上氮化镓功率器件的初创公司）宣布已完成一笔3500万美元的E
轮融资。本轮融资由日本创新网络公司（INCJ）和日本国际电子公司（NIEC）领导。
还有，电动车辆的车载充电站和EV充电桩的供应设备中对GaN半导体装置的需求已经增加
。例如，在2019年10月，名古屋大学发布了一款完全使用氮化镓半导体装置的电动汽车
All GaN Vehicle。与目前使用SiC开发的电动汽车相比，该汽车的效率提高了20％。由于
这些芯片在车载资通讯娱乐主机（IHU）和高级驾驶员辅助系统（ADAS）等汽车应用中的
使用量不断增加，因此预计8英寸芯片市场将受到高度关注。
由于，对高效和高性能射频零组件的需求不断增长，以及中国、日本和韩国等国家的电动
汽车产量激增，亚太地区有望成为GaN增长最快的地区市场。例如，中国‘十四五规划’
投入10兆人民币拼第三代半导体自主。
GaN半导体装置零组件，包括：晶体管、二极管、整流器、电源IC及其他。
目前，氮化镓（GaN）半导体装置市场主要参与者：
Cree
Efficient Power Conversion Corporation
富士通有限公司
GaN Systems
英飞凌科技股份公司
NexGen电力系统
恩智浦半导体
Qorvo, Inc.
德州仪器公司
东芝公司
日本经产省决定押宝氮化镓
日本也由政府集结上中下游产业合作发展GaN，5年内拨款90兆日圆(约25.2兆台币)资助研
发氮化镓在半导体方面应用的大学、企业，目标2020年代后半全面量产。虽然，碳化硅发
展比氮化镓更成熟，但日本是全球第一个研发氮化镓的国家，而且发展为成熟的材料自然
有更多未来性，都可能是日本经产省决定押宝氮化镓的原因。物理学界曾有研究指出，若
所有半导体都改用氮化镓为材料，目前所有电子产品耗电能减少10至25%。
中国大陆计划正在制订的‘十四五规划’(2021-2025年期间)将纳入第三代半导体产业发
展，从教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，
以期实现半导体产业独立自主。但目前尚不知是否集中发展GaN半导体。
欧盟也将上中下游产业聚集合作，抢攻第三代半导体产业发展。
3.心得/评论：
看好在电动车、通讯设备的使用，第三代半导体市场预计将持续成长，中国、日本、欧盟
也有相关的投资计画。