长江存储推出128层QLC快闪X2-6070，预计2020下半年量产
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2020年4月13日，中国大陆长江存储科技(YMTC)宣布其128层QLC 3D NAND快闪芯片（型号
： X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。号称业
内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有高单位面积存储密度、最高
I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。同时发布，128层512Gb TLC（3 bit/cell）
规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。128 层QLC 版本将率先
应用于消费级SSD ，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G 、AI 时
代多元化数据存储需求。
长江存储X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND。长江存储在短短3 年时间实现了从32 层到
64 层再到128 层的跨越。
Xtacking ® 2.0
在长江存储128层系列产品中，Xtacking ®已全面升级至2.0，进一步释放3D NAND闪存潜
能。在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（
Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造
工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking ®
2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。
X2-6070 充分发挥QLC 技术特点
QLC是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合
于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3,665亿个
有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据
，共提供1.33 Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗
长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约
14,660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。
由于，QLC 降低了NAND 闪存单位字节（Byte ）的成本，更适合作为大容量存储介质。随
著主流消费类SSD 容量迈入512GB 及以上，QLC SSD 未来市场增量将非常可观。
尤其，与传统HDD 相比，QLC SSD 更具性能优势。在企业级领域，QLC SSD 将为服务器和
数据中心带来更低的读延迟，使其更适用于AI 计算，机器学习，实时分析和大数据中的
读取密集型应用。在消费类领域，QLC 将率先在大容量U盘，闪存卡和SSD 中普及。
结语
长江存储128层QLC快闪X2-6070有望在今年(2020)下半年开始制造128层产品。三星电子和
SK海力士去年(2019)也生产了第一批128层NAND快闪存储器产品，一旦长江存储按计划生
产其128层产品，韩国和中国公司之间的技术差距可能缩小到仅领先两年之内。
中国大陆政府积极扶植半导体产业自主化，从技术门槛相对低的NAND切入，再攻DRAM技术
。当长江存储位于COVID-19疫情震央的武汉，在武汉的长江存储工厂照常运转。这没有中
国政府的协助是不可能的。而且，中国政府支持这些扶植企业直到它们实现规模经济，尽
管他们制造产品精度仍不如国际大厂，但仍要求中国下游业者尽量使用这些扶植公司的
DRAM和NAND快闪芯片。
3.心得/评论：
长江存储宣布完成新一代QLC NAND快闪芯片开发，容量为前一代的5.33倍，预计今年下半
年投入制造，也使中国在内存市场与韩国差距缩短。