三星电子开始量产136层第六代V-NAND SSD
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2.原文内容：
三星电子于2019年8月6日宣布，已开始批量生产250 GB（Gigabyte）SATA固态硬盘（SSD），该硬盘是一个三位元V-NAND，集成了该公司的第6代（1xx层）256 Gb（Gigabit）。目前，已进行SSD交付给全球PC制造商。
该新款SSD基于超过100层的第六代V-NAND，具有快速的数据传输速率。
该公司称其新的V-NAND利用3D内存提升，突破目前的储存单元堆叠限制(cell stacking limitations)。新产品为之前的9x层单层结构增加了大约40％的单元。该公司构建由136层组成的导电模具叠层实现了这一目标，然后从上到下垂直穿透圆柱形孔，形成均匀的3D电荷陷阱闪存（charge trap flash；CTF）单元。该公司称这种方法为“通道孔蚀刻”(channel hole etching)技术。
随着每个单元区域中的模具堆叠的高度增加，NAND闪存芯片往往更容易受到错误和读取延迟的影响。三星表示，它通过采用速度优化的电路设计克服了这些限制。
该公司表示，这种速度优化设计使其能够提供超过300层的下一代V-NAND解决方案，只需安装三个电流堆即可构建，而不会影响芯片性能或可靠性。
利用高速和低功耗特性，三星计划将扩大3D V-NAND版图的范围到下一代行动装置和企业服务器等领域，还可针对高可靠性的汽车市场。
从企业的250 GB SSD开始，三星电子计划在今年(2019)下半年提供512 Gb三位元V-NAND SSD和eUFS。该公司还计划从明年开始在其韩国Pyeongtaek园区扩大生产第六代V-NAND解决方案，以满足全球客户的需求。
全球96层3D NAND产量预计自2019第二季开始扩大
原先，全球NAND大厂包括三星、SK Hynix、美光、东芝等纷纷开出96层3D NAND产量，预计将自2019第二季开始扩大，这可能会为今年(2019) SSD市场与价格带来更多变量，但这些大厂也纷纷宣布减产。其实，自2018年以来，NAND价格一直在下跌，主要原因是64层及72层3D芯片的供应增加，因而预估至今年底，NAND 价格甚至会跌至每GB不到0.1美元的新低价。
然而受贸易战可能影响NAND市场版图
目前，由于美中+日韩贸易战影响，市场出现有趣变化，韩国厂因原料受控日本而顺势减产，而美日厂商(美光、Western Digital、东芝等)反而有机会捡到枪顺势接单。然而，大陆政府扶植NAND Flash厂商长江存储，仍宣称预计今年(2019)底前NAND将依照进程正式量产64层Xtacking 3D NAND产品，初期以供应中国境内市场为主。假如，贸易战持续延烧，全球96层3D NAND产量预计可能如期自2019第二季开始扩大，并且出现美日大厂独吃大单的现象。
3.心得/评论：
自2018年以来，快闪存储器价格一直在下跌，主要原因是64层及72层3D芯片的供应增加。预估至今年年底，快闪存储器价格甚至会跌至每GB不到0.1美元的新低价。
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