三星EUV计画曝光，战略从7奈米到4奈米
1.原文连结：https://bit.ly/2KkcxLK
2.原文内容：
去年(2018)10月，三星晶圆代工正式开始使用其7奈米LPP（7nm low power plus）制程生
产芯片，此后并未放缓其制程技术的发展。该公司有望在2019年下半年采用其精制的6奈
米LPP技术开始量产。此外，该公司表示将推出首款5奈米LPE（5 nm low power early）
单芯片，并且将在未来几个月内完成其4奈米LPE制程开发。
三星称，其合约生产部门使用10奈米LPP / 8奈米LPP制程制造的行动单芯片需求强劲，以
及使用14奈米LPx / 10奈米LPP制程制造的行动、HPC、汽车和网络产品的需求也很强劲。
总体来说，三星晶圆代工使用其领先的FinFET制程技术生产大量高端产品。
正如所料，极紫外光刻（extreme ultraviolet lithography, EUVL）将成为三星领先的
下一代制程技术的关键推动因素。三星使用EUV的第一项技术是7奈米LPP，其后续产品将
更广泛地采用它。
今年(2019)晚些时候，三星将采用其6奈米LPP制程技术开始生产芯片。三星的6奈米LPP是
三星7奈米LPP的精制版，在可以重复使用7奈米LPP设计IP前提下，能够带来10%的电晶体
密度提升且更低功耗。此外，6奈米LPP为愿意开发全新IP的客户提供智慧结构支援。除了
智慧结构之外，6奈米LPP还将增加对多扩散（Multi diffusion break）等功能的支援。
三星7奈米LPP生产技术演进的下一步将是5奈米LPE制程技术。与6奈米LPP相比，5奈米LPE
在功率，性能和面积方面提供了更多的好处，但也可以重新使用原始设计的IP。三星预计
将在今年(2019)下半年推出使用其5奈米LPE技术的首批芯片，预计将在2020年上半年大规
模生产。
三星晶圆代工预计5奈米LPE将成为其2020年的主要EUVL节点，主要是该技术能够为各种应
用提供众多优势，而且到时候三星的EUV良率会更高。6奈米LPP和5奈米LPE将比7奈米LPP
制程更广泛使用的另一个原因是因为三星工厂将在未来几个月内建立更多的EUV生产线。
三星位于华城的工厂耗资46.15亿美元，不久将完工，预计将于2020年开始进入量产阶段
。
至于三星7奈米LPP发展的巅峰之作将是该公司的4奈米LPE技术。目前预计在今年(2019)下
半年将完成4奈米LPE开发的工作，因此预计2020年开始下线（Tape out），并将在2021年
的某个季节进入量产阶段。
3.心得/评论：
三星下一代的制程技术重点将会是EUV，而在今年晚些时候，也将开始采用其6奈米的LPP
制程技术量产芯片。但这对三星来说，还不只这样，该公司下一步预计开发比6奈米LPP性
能更好的5奈米LPE制程技术，也预计在今年下半年推出首批芯片。